[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201010172770.6 | 申请日： | 2010-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN102244168A | 公开（公告）日： | 2011-11-16 |
| 发明（设计）人： | 凃博闵;黄世晟;黄嘉宏;杨顺贵 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/10 | 分类号： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管，其包括一基板、一位于所述基板上缓冲层、一位于所述缓冲层上并且具有第一折射率的图案化层、一位于所述图案化层上并且具有第二折射率的半导体层以及一位于所述半导体层上的发光结构，其特征在于，所述第一折射率小于所述第二折射率。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光结构包括一位于所述半导体层上的n型氮化物半导体层，一位于所述n型氮化物半导体层上的氮化物发光层及一位于所述氮化物发光层上的p型氮化物半导体层。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述基板的材料为蓝宝石、碳化硅或硅材料，所述缓冲层为氮化镓层，所述具有第一折射率的图案化层为氮化铝层，所述具有第二折射率的半导体层的材料为AlxGa1-xN，其中0＜x＜1。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述图案化层上设置连续图案或是部分连续图案。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述图案化层的厚度介于0.05微米至1微米。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述图案化层包括多条沟道，所述沟道的宽度介于1.0微米至5.0微米。
7.如权利要求6所述的一种发光二极管，其特征在于：所述沟道包括一倾斜的侧边，其用于反射光线。
8.一种发光二极管的制造方法，其包括以下几个步骤：
提供一基板，并成长一缓冲层于所述基板上；
在所述缓冲层上成长一图案化层；
在所述图案化层上制作图案；
在所述图案化层上成长一半导体层；
在所述半导体层上成长一半导体发光结构。
9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于：所述图案化层上形成有多条沟道。
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