[发明专利]一种钨基浸渍阴极及其制备方法

权利要求书

1.一种钨基浸渍阴极，包括阴极钼筒，钼筒内上部为基体，基体下部设有热子组件，其特征在于所述基体由60～96％(重量百分比)钨粉、1～10％(重量百分比)氧化锆粉，余量为氧化钪粉组分，所述基体孔隙中浸渍铝酸盐。

2.根据权利要求1所述的钨基浸渍阴极，其特征在于所述基体孔隙中浸渍铝酸钡。

3.根据权利要求1所述的钨基浸渍阴极，其特征在于所述基体直径为1～5mm，高度为1～5mm。

4.根据权利要求3所述的钨基浸渍阴极，其特征在于所述基体直径为3.5mm，高度为1.4mm。

5.一种制备权利要求1所述的钨基浸渍阴极的方法，其特征在于所述方法包括：

1)将钨粉、氧化锆粉和氧化钪粉分别放入700～2100℃的氢炉内退火并保温；

2)按重量百分比取步骤1中的钨粉60～96％、氧化锆粉1～10％，余量为氧化钪粉进行研磨混匀，用装有阴极钼筒的成型模将混合粉压制成平顶阴极基体并烧结；

3)将步骤2中制得的基体置于铝酸盐粉末中，干氢气氛下1000～2000℃浸渍1～5分钟，浸渍后多余的盐用车刀清除；

4)安装热子组件。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于所述步骤1中的钨粉为1～10微米粒径、纯度为99.95％的微颗粒；氧化锆粉和氧化钪粉的粒径为亚微米级。