[发明专利]穿透式太阳能电池模块及制造穿透式太阳能电池模块方法有效
申请号: | 201010174086.1 | 申请日: | 2010-05-04 |
公开(公告)号: | CN102237376A | 公开(公告)日: | 2011-11-09 |
发明(设计)人: | 李适维;林清儒;黄伟民;侯契宏;陈彦君 | 申请(专利权)人: | 绿阳光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/142 | 分类号: | H01L27/142;H01L21/782 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 刘云贵;刘海英 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 穿透 太阳能电池 模块 制造 方法 | ||
1.一种穿透式太阳能电池模块,其特征在于,其包括:
一透光基板;
多个块状金属电极,其以矩阵方式形成于所述透光基板上,且各块状金属电极不沿着一第一方向接触相邻的块状金属电极;
多个块状光电转换层,各块状光电转换层以矩阵方式沿着所述第一方向形成于相对应的所述块状金属电极与所述透光基板上,以及沿着相异于所述第一方向的一第二方向形成于相对应的块状金属电极以及所述透光基板上,且各块状光电转换层不沿着所述第一方向接触相邻的块状光电转换层;以及
多个条状透光电极,各条状透光电极沿所述第一方向形成于相对应的所述块状光电转换层与所述透光基板上,且沿所述第二方向形成于相对应的所述块状光电转换层与所述块状金属电极上,以使所述多个块状金属电极以及所述多个条状透光电极沿着所述第二方向互相串联。
2.如权利要求1所述的穿透式太阳能电池模块,其特征在于,各条状透光电极于所述第二方向形成于相对应的所述块状光电转换层、所述块状金属电极、以及所述透光基板上。
3.如权利要求1所述的穿透式太阳能电池模块,其特征在于,所述穿透式太阳能电池模块还包括:
一缓冲层,其形成于所述块状光电转换层与所述条状透光电极之间,所述缓冲层由硫化锌以及本质氧化锌所组成。
4.如权利要求1所述的穿透式太阳能电池模块,其特征在于,所述透光基板为一钠钙玻璃。
5.如权利要求1所述的穿透式太阳能电池模块,其特征在于,所述块状金属电极由钼金属所组成。
6.如权利要求1所述的穿透式太阳能电池模块,其特征在于,所述块状光电转换层由铜铟硒化镓化合物所组成。
7.如权利要求1所述的穿透式太阳能电池模块,其特征在于,所述条状透光电极为由氧化铝锌或铟锡氧化物组成的一透光导电层。
8.一种用来制造穿透式太阳能电池模块的方法,其特征在于,其包括:
在一透光基板上形成一金属电极层;
沿着一第一方向以及相异于所述第一方向的一第二方向移除部分所述金属电极层,以形成数组式排列的多个块状金属电极;
于所述多个块状金属电极以及所述透光基板上形成一光电转换层;
沿着所述第一方向移除部分所述光电转换层以露出部分所述多个块状金属电极,以及沿着所述第二方向移除部分所述光电转换层以露出部分所述透光基板,借此形成数组式排列的多个块状光电转换层;
于所述多个块状金属电极、所述多个块状光电转换层、以及所述透光基板上形成一透光电极层;以及
沿着所述第一方向移除部分所述透光电极层以形成间隔排列的多个条状透光电极,以使所述多个条状金属电极以及所述多个块状透光电极沿着所述第二方向互相串联。
9.如权利要求8所述的方法,其特征在于,沿着所述第一方向移除部分所述光电转换层以露出部分所述多个块状金属电极包括沿着所述第一方向移除部分所述光电转换层以露出部分所述多个块状金属电极以及部分所述透光基板。
10.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:于所述透光基板上形成所述金属电极层前,清洗所述透光基板。
11.如权利要求8所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:
形成一缓冲层于所述光电转换层与所述透光电极层之间。
12.如权利要求8所述的方法,其特征在于,沿着所述第一方向以及所述第二方向移除部分所述金属电极层包括利用雷射切割技术沿着所述第一方向以及所述第二方向切割所述金属电极层。
13.如权利要求8所述的方法,其特征在于,沿着所述第一方向以及所述第二方向移除部分所述光电转换层包括使用一刮刀沿着所述第一方向以及所述第二方向刮除部分所述光电转换层。
14.如权利要求8所述的方法,其特征在于,沿着所述第一方向移除部分所述透光电极层包括使用一刮刀沿着所述第一方向刮除部分所述透光电极层。
15.如权利要求8所述的方法,其特征在于,沿着所述第一方向移除部分所述透光电极层包括沿着所述第一方向移除部分所述透光电极层的同时移除部分所述光电转换层。
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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