[发明专利]一种在硅片上复合In2O3触须状纳米结构的半导体材料及其制备方法无效
申请号: | 201010174386.X | 申请日: | 2010-05-14 |
公开(公告)号: | CN101851114A | 公开(公告)日: | 2010-10-06 |
发明(设计)人: | 黄雁君;郁可;朱自强 | 申请(专利权)人: | 华东师范大学 |
主分类号: | C04B41/50 | 分类号: | C04B41/50 |
代理公司: | 上海蓝迪专利事务所 31215 | 代理人: | 徐筱梅;张翔 |
地址: | 200241 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 复合 in sub 触须 纳米 结构 半导体材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种在硅片上复合In2O3触须状纳米结构的半导体材料,其特征在于:该材料包括硅片衬底及生长在该衬底表面的In2O3晶体;所述In2O3晶体为多面体纳米结构连接形成的触须状纳米结构,其长度为48~68μm,多面体的大小由触须状结构顶端到底端逐渐变大。
2.一种权利要求1所述半导体材料的制备方法,其特征在于:该方法包括如下步骤:
a、将In2O3粉和C粉以1∶3的摩尔比例混合作为源放到石英舟里,将清洗后的硅片盖在石英舟上,硅片与源的垂直距离为4~10mm;
b、将石英舟置于预先加热至700~1000℃、水平放置的管式生长炉的中部;
c、管式生长炉中通入惰性气体Ar作为载气,在大气压强下反应120~360min;
d、取出石英舟和硅片,得到在硅片上复合In2O3棒状纳米结构的半导体材料;
其中:步骤a中所述In2O3粉的纯度为分析纯;所述C粉的纯度为光谱纯;步骤c中所述通入的惰性气体Ar的流量为0.2~0.8L/min。
3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于所述水平放置的管式生长炉由两根管组成,其中一根管长为70~100cm,直径为6~10cm;另一根管长为50~80cm,直径为3~5cm;反应时,小口径管插入大口径管中,载气是直接通入到小口径管中。
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