[发明专利]光电转换装置及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换装置，包括：

具有透光性的基础衬底；

所述基础衬底上具有透光性的绝缘层；

所述绝缘层上的单晶半导体层；

在所述单晶半导体层的表层中以带状的方式设置的多个分别具有一种导电型的第一杂质半导体层；

在所述单晶半导体层的表层中的多个分别具有与所述一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，其中所述多个第二杂质半导体层以带状的方式设置，所述多个第一杂质半导体层与所述多个第二杂质半导体层彼此不重叠地交替设置；

与所述多个第一杂质半导体层接触的多个第一电极；以及

与所述多个第二杂质半导体层接触的多个第二电极。

2.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，至少在所述多个第一杂质半导体层、所述多个第二杂质半导体层、所述单晶半导体层的各表面上除了所述多个第一杂质半导体层和所述多个第一电极的接合部、以及所述多个第二杂质半导体层和所述多个第二电极的接合部以外的部分形成保护膜。

3.根据权利要求2所述的光电转换装置，其中，所述保护膜是选自氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氧氮化硅层中的一种。

4.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，所述基础衬底是选自铝硅酸盐玻璃衬底、铝硼硅酸盐玻璃衬底、钡硼硅酸盐玻璃衬底中的一种。

5.根据权利要求1所述的光电转换装置，其中，所述绝缘层是选自氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氧氮化硅层中的一种。

6.一种光电转换装置，包括：

具有透光性的基础衬底；

所述基础衬底上具有透光性的绝缘层；

所述绝缘层上的单晶半导体层；

在所述单晶半导体层的表面上以带状的方式设置的多个分别具有一种导电型的第一杂质半导体层；

在所述单晶半导体层的表面上的多个分别具有与所述一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，其中所述多个第二杂质半导体层以带状的方式设置，所述多个第一杂质半导体层与所述多个第二杂质半导体层彼此不重叠地交替设置；

与所述多个第一杂质半导体层接触的多个第一电极；以及

与所述多个第二杂质半导体层接触的多个第二电极。

7.根据权利要求6所述的光电转换装置，其中，至少在所述多个第一杂质半导体层、所述多个第二杂质半导体层、所述单晶半导体层的各表面上除了所述多个第一杂质半导体层和所述多个第一电极的接合部、以及所述多个第二杂质半导体层和所述多个第二电极的接合部以外的部分形成保护膜。

8.根据权利要求7所述的光电转换装置，其中，所述保护膜是选自氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氧氮化硅层中的一种。

9.根据权利要求6所述的光电转换装置，其中，所述基础衬底是选自铝硅酸盐玻璃衬底、铝硼硅酸盐玻璃衬底、钡硼硅酸盐玻璃衬底中的一种。

10.根据权利要求6所述的光电转换装置，其中，所述绝缘层是选自氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氧氮化硅层中的一种。

11.一种光电转换模块，包括：

具有透光性的基础衬底；

所述基础衬底上具有透光性的绝缘层；

所述绝缘层上的多个单晶半导体层；

在所述多个单晶半导体层的每一个单晶半导体层的表层中以带状的方式设置的多个分别具有一种导电型的第一杂质半导体层；

在所述多个单晶半导体层的每一个单晶半导体层的表层中的多个分别具有与所述一种导电型相反的导电型的第二杂质半导体层，其中所述多个第二杂质半导体层以带状的方式设置，所述多个第一杂质半导体层与所述多个第二杂质半导体层彼此不重叠地交替设置；

与所述多个第一杂质半导体层接触的多个第一电极；

与所述多个第二杂质半导体层接触的多个第二电极；

用来连接设置在所述多个单晶半导体层之一的所述第一电极、和设置在与这一个单晶半导体层相邻的一个单晶半导体层的所述第二电极的第一连接电极；以及

用来连接设置在所述多个单晶半导体层之一的所述第一电极、和设置在与这一个单晶半导体层相邻的一个单晶半导体层的所述第一电极的第二连接电极。