[发明专利]背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构及其制作方法

权利要求书

1.一种背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构，其特征在于，该结构包括：

硅基衬底；

在硅基衬底正面制作的陷光层；以及

在硅基衬底背面制作的掺杂广谱吸收层。

2.根据权利要求1所述的背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构，其特征在于，所述硅基衬底为单晶硅或多晶硅衬底，其导电类型为n型或p型，厚度为50μm至500μm。

3.根据权利要求1所述的背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构，其特征在于，所述背光面掺杂广谱吸收层包括凹凸不平的晶锥掺杂黑硅、熔融凝固后的掺杂准平面硅，以及离子注入掺杂退火后的平面硅。

4.根据权利要求1所述的背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构，其特征在于，所述背光面掺杂广谱吸收层为硅基掺杂材料，所掺杂质包括硫、硒、碲中的任何一种、以及它们之中任何两种或三种的混合杂质，这种掺杂广谱吸收层对0.25μm至2.5μm波长范围内的太阳光具有＞85％的光吸收率。

5.根据权利要求1、3或4所述的背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构，其特征在于，所述背光面掺杂广谱吸收层的厚度为10nm至10μm，是直接作在电池背光面的硅基衬底上或作在电池背光面的n型梯度层上。

6.根据权利要求5所述的背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构，其特征在于，所述n型梯度层是由包括磷或砷扩散形成的由表及里、浓度递减的掺杂硅层，n型梯度层厚度为50nm至50μm。

7.根据权利要求1所述的背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构，其特征在于，所述陷光层的厚度为20nm至20μm，是直接制作在硅基衬底正面，或制作在硅基衬底正面的p型梯度层上。

8.根据权利要求7所述的背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构，其特征在于，所述p型梯度层是由包括硼或镓扩散所形成的由表及里、浓度递减的掺杂硅层，p型梯度层厚度为50nm至50μm。

9.一种制作背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构的方法，其特征在于，该方法包括：

步骤1：在硅基衬底的正面制作陷光层，以该陷光层作为电池的迎光面；并在硅基衬底的背面制作掺杂广谱吸收层，以该掺杂广谱吸收层作为电池的背光面；

步骤2：在电池迎光面和背光面分别进行硅氧化物或硅氮化物介质钝化，形成钝化层，然后在钝化层上分别制作正面接触栅电极和背面接触电极与背反电极金属层。

10.根据权利要求9所述的制作背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构的方法，其特征在于，步骤1中所述陷光层为类金字塔、多孔硅或硅锥减反射表层。

11.根据权利要求9所述的制作背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构的方法，其特征在于，步骤1中所述掺杂广谱吸收层对0.25μm至2.5μm波长范围内的太阳光具有＞85％的光吸收率。

12.根据权利要求9所述的制作背光面为广谱吸收层的硅基太阳能电池结构的方法，其特征在于，步骤2中的迎光面硅氧化物或硅氮化物介质同时兼作减反射膜。