[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 201010176086.5 | 申请日： | 2010-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN102255025A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 吴芃逸;黄世晟;凃博闵;杨顺贵;黄嘉宏 | 申请（专利权）人： | 展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/42 |
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| 地址： | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，包括：
一衬底；
一缓冲层位于所述衬底上；
一N型半导体层位于缓冲层上；
一发光层位于N型半导体层上；
一P型半导体层位于发光层上；
一透明导电层位于P型半导体层上；
一P型电极位于透明导电层上；以及
一N型电极位于N型半导体层上，其特征在于：所述P型电极包括一第一P型电极以及一透明的第二P型电极。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述透明导电层含有氧化铟锡。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一P型电极为铂金合金(Pt/Au)、钨(W)、铬金合金(Cr/Au)或钯(Pd)。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述N型电极为钛/铝/钛/金(Ti/Al/Ti/Au)、铬金合金(Cr/Au)或是铅金合金(Pd/Au)。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二P型电极包含Ni/Au，AZO，GZO，FTO，IZO，ZnO，CdO中的至少一种。
6.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第二P型电极的厚度小于透明导电层的厚度。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于：所述第二P型电极的厚度在2-10nm之间。
8.如权利要求1-7项中任意一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第二P型电极以图形覆盖在透明导电层上。
9.如权利要求1-7项中任意一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第一P型电极位于所述第二P型电极上方，由该第二P型电极与该透明导电层直接接触。
10.如权利要求1-7项中任意一项所述的发光二极管，其特征在于：所述第一P型电极与所述第二P型电极位于同一水平面上并均与透明导电层直接接触。
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