[发明专利]隔离开关变换器的同步整流自激励驱动电路和方法有效

专利信息
申请号: 201010176255.5 申请日: 2010-05-18
公开(公告)号: CN101841243A 公开(公告)日: 2010-09-22
发明(设计)人: 钟启豪;李战伟;刘取仁;江申才 申请(专利权)人: 深圳市核达中远通电源技术有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 代理人: 王震宇
地址: 518055 广东省深圳市南山区桃*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 隔离 开关 变换器 同步 整流 激励 驱动 电路 方法
【权利要求书】:

1.一种隔离开关变换器的同步整流自激励驱动电路,包括变压器次级的辅助驱动绕组,所述辅助驱动绕组向所述隔离开关变换器的同步整流MOS管(Q5)和同步续流MOS管(Q6)提供栅极驱动电压,其特征在于,所述电路还包括整形互锁单元,所述辅助驱动绕组通过所述整形互锁单元耦合到所述同步整流MOS管和同步续流MOS管的栅极,所述整形互锁单元在整个开关周期的整流阶段将所述辅助驱动绕组提供的正电压施加到所述同步整流MOS管的栅极并将所述同步续流管的栅极电压箝位到零,在整个开关周期的续流阶段将所述辅助驱动绕组提供的正电压施加到所述同步续流MOS管的栅极并将所述同步整流管的栅极电压箝位到零。

2.如权利要求1所述的同步整流自激励驱动电路,其特征在于,所述整形互锁单元包括第一整形开关管(Q1)、第一隔离开关管(Q3)、第二整形开关管(Q2)与第二隔离开关管(Q4),所述辅助驱动绕组的第一同名端(P21)与第二隔离开关管(Q4)的漏极、第三驱动电阻(R3)的一端、第五驱动电阻(R5)的一端以及第一驱动电阻(R1)的一端相连,所述第三驱动电阻(R3)的另一端与所述第一隔离开关管(Q3)的栅极以及所述第一整形开关管(Q1)的漏极相连,所述第五驱动电阻(R5)的另一端与所述第二整形开关管(Q2)的栅极相连,所述第一驱动电阻(R1)的另一端与所述同步整流MOS管(Q5)的栅极相连;所述辅助驱动绕组的第二同名端(P22)与所述第一隔离开关管(Q3)的漏极、第四驱动电阻(R4)的一端、第六驱动电阻(R6)的一端以及第二驱动电阻(R2)的一端相连,所述第四驱动电阻(R4)的另一端与所述第二隔离开关管(Q4)的栅极、第二整形开关管(Q2)的漏极相连,所述第六驱动电阻(R6)的另一端与所述第一整形开关管(Q1)的栅极相连,所述第二驱动电阻(R2)的另一端与所述同步续流MOS管(Q6)的栅极相连;所述第一整形开关管(Q1)、所述第一隔离开关管(Q3)、所述第二整形开关管(Q2)、所述第二隔离开关管(Q4)、所述同步整流MOS管(Q5)和所述同步续流MOS管(Q6)的源极同接所述开关变换器主输出端的公共地(COM)。

3.如权利要求1所述的同步整流自激励驱动电路,其特征在于,所述整形互锁单元包括第一整形开关管(Q1)、第一隔离开关管(Q3)、第二整形开关管(Q2)、第二隔离开关管(Q4)、第一二极管(D1)以及第二二极管(D2),所述辅助驱动绕组的第一同名端(P21)与第二隔离开关管(Q4)的漏极、第三驱动电阻(R3)的一端、第五驱动电阻(R5)的一端以及第一驱动电阻(R1)的一端相连,所述第三驱动电阻(R3)的另一端与所述第一隔离开关管(Q3)的栅极以及所述第一整形开关管(Q1)的漏极相连,所述第五驱动电阻(R5)的另一端与所述第二整形开关管(Q2)的栅极相连,所述第一驱动电阻(R1)的另一端与所述同步整流MOS管(Q5)的栅极相连;所述辅助驱动绕组的第二同名端(P22)与所述第一隔离开关管(Q3)的漏极、第四驱动电阻(R4)的一端、第六驱动电阻(R6)的一端以及第二驱动电阻(R2)的一端相连,所述第四驱动电阻(R4)的另一端与所述第二隔离开关管(Q4)的栅极、第二整形开关管(Q2)的漏极相连,所述第六驱动电阻(R6)的另一端与所述第一整形开关管(Q1)的栅极相连,所述第二驱动电阻(R2)的另一端与所述同步续流MOS管(Q6)的栅极相连;所述第一整形开关管(Q1)、所述第二整形开关管(Q2)、所述同步整流MOS管(Q5)、所述同步续流MOS管(Q6)的源极以及所述第一二级管(D1)、所述第二二极管(D2)的阳极同接所述开关变换器主输出端的公共地(COM),所述第一隔离开关管(Q3)的源极与所述主次级绕组的第二同名端(P12)相连,所述第二隔离开关管(Q4)的源极与所述主次级绕组的第一同名端(P11)相连,所述第一二级管(D1)的阴极与所述辅助驱动绕组的第一同名端(P21)相连,所述第二二极管(D2)的阴极与所述辅助驱动绕组的第二同名端(P22)相连。

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