[发明专利]一种钐钴系烧结磁体材料及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201010176900.3 申请日: 2010-05-17
公开(公告)号: CN101882494A 公开(公告)日: 2010-11-10
发明(设计)人: 刘壮;孙颖丽;刘兴民;李东;闫阿儒 申请(专利权)人: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
主分类号: H01F1/053 分类号: H01F1/053;C22C19/07;C22C30/02;C22C1/04;C22F1/16
代理公司: 宁波市天晟知识产权代理有限公司 33219 代理人: 张文忠;任汉平
地址: 315201 浙江*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 钐钴系 烧结 磁体 材料 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种钐钴系烧结磁体材料,其特征是:由钐、钴、铁、铜、锆以及至少一种重稀土元素组成,以质量百分比计,钐占10~25%,钴占45~55%,铁占10~20%,铜占3~9%,锆占1~3%,重稀土元素占5~15%。

2.根据权利要求1所述的一种钐钴系烧结磁体材料,其特征是:所述的重稀土元素是钆与镝。

3.一种根据权力要求1所述的钐钴系烧结磁体材料的制备方法,其特征是:依次包括如下步骤:

步骤1、配料:将钐、钴、铁、铜、锆以及至少一种重稀土元素按照质量百分比配料,钐占10~25%,钴占45~55%,铁占10~20%,铜占3~9%,锆占1~3%,重稀土元素占5~15%;

步骤2、制速凝片:将步骤1中的配料采用速凝工艺制成速凝片;

步骤3、制磁粉:将步骤2中得到的速凝片进行磨制,包括气流磨工艺,得到的磁粉的粒径为3~5μm;

步骤4、取向成型:将步骤3中得到的磁粉在一定压力下进行磁场取向成型,然后在200~350Mpa的压强下进行冷等静压10~20秒;

步骤5、烧结和固溶:将步骤4得到的磁性成型物在惰性气体保护下正压低温烧结,烧结温度为1160~1230℃,烧结时间为0.4~0.8小时,烧结后在1100℃~1200℃下固溶2~5小时,然后快速冷却到室温;

步骤6、等温时效处理:将步骤5得到的产物在830~870℃下保温5~10h;随后以0.5~2℃/m速率降温到400℃,并保温1~5个小时后快淬到室温,得到磁体。

4.根据权力要求3所述的一种钐钴系烧结磁体材料的制备方法,其特征是:所述的步骤2中的速凝工艺是将步骤1中的配料熔炼成合金,然后在水冷铜辊上速凝。

5.根据权力要求3所述的一种钐钴系烧结磁体材料的制备方法,其特征是:所述的步骤2中得到的速凝片的厚度为0.3~0.5mm。

6.根据权力要求3所述的一种钐钴系烧结磁体材料的制备方法,其特征是:所述的步骤3包括两级磨制工艺,首先是将步骤2中得到的速凝片进行盘磨,然后在真空条件下煅烧得到干磁粉,其次将干磁粉进行气流磨。

7.根据权力要求3所述的一种钐钴系烧结磁体材料的制备方法,其特征是:所述的步骤6得到的磁体的磁能积为14~25MGsOe,剩磁温度系数为-0.005~-0.03%/℃,在-35℃~300℃的环境中能够稳定保持较低的磁通温度系数。

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