[发明专利]芯片封装与散热用热界面材料及其制法无效
| 申请号： | 201010176988.9 | 申请日： | 2010-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN101864280A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 吴东岷;李加东 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C09K5/08 | 分类号： | C09K5/08;H01L23/373 |
| 代理公司： | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人： | 陈忠辉 |
| 地址： | 215125 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 芯片 封装 散热 界面 材料 及其 制法 | ||
【权利要求书】：
1.芯片封装与散热用热界面材料，包括基底上的碳纳米管阵列，其特征在于：所述热界面材料包含填充于碳纳米管阵列缝隙内的液态金属。
2.根据权利要求1所述的芯片封装与散热用热界面材料，其特征在于：所述液态金属为自由扩散、均匀分布在碳纳米管阵列的缝隙内。
3.根据权利要求1所述的芯片封装与散热用热界面材料，其特征在于：所述热界面材料的厚度介于10μm～1mm。
4.根据权利要求1所述的芯片封装与散热用热界面材料，其特征在于：所述碳纳米管阵列为单壁碳纳米管阵列、双壁碳纳米管阵列及多壁碳纳米管阵列之一，其中任意碳纳米管垂直于基底，且碳纳米管直径介于2nm～100nm。
5.芯片封装与散热用热界面材料的制法，其特征在于包括步骤：
I、在基底材料上制备任意形状、面积的碳纳米管阵列；
II、在所述各碳纳米管表面制作一层浸润金属层；
III、在保护气的环境中滴加液态金属到碳纳米管阵列表面，并在高于液态金属熔点温度的条件下采用抽真空法将液态金属扩散、填满碳纳米管阵列的缝隙。
6.根据权利要求5所述的芯片封装与散热用热界面材料的制法，其特征在于：所述浸润金属层为厚度1nm～2nm的金薄膜或铂薄膜。
7.根据权利要求5所述的芯片封装与散热用热界面材料的制法，其特征在于：所述保护气为惰性气体，可选包括氮气或氩气中的一种。
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