[发明专利]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201010177529.2 申请日: 2007-05-17
公开(公告)号: CN101819965A 公开(公告)日: 2010-09-01
发明(设计)人: 高野文朋;渡边信也;合叶司;大塚浩;中岛穰二 申请(专利权)人: 本田技研工业株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/495;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 陈伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置,其特征在于,由下述部分构成:

并列配置在同一平面上的一对半导体芯片,

接合在一个所述半导体芯片的一个表面上且具有高压端子的高 压汇流条,

接合在另一个所述半导体芯片的一个表面上且具有低压端子的 低压汇流条,

接合在所述一个半导体芯片的另一表面上的第1金属配线板,

接合在所述另一个半导体芯片的另一表面上的第2金属配线板,

输出汇流条,具有分别从所述第1金属配线板和所述第2金属配 线板的端部延伸的输出端子,

所述高压汇流条的所述高压端子和所述低压汇流条的所述低压 端子被配置成与所述输出汇流条的所述输出端子位于同一侧,所述 输出汇流条的所述输出端子被配置在所述高压端子和所述低压端子 之间的电流路径的中间位置上,

所述第1金属配线板和所述第2金属配线板作为单独的部件形 成,在所述第1金属配线板和所述第2金属配线板的接合部上接合 有所述输出汇流条。

2.如权利要求1记载的半导体装置,其特征在于:

从所述高压端子经由所述一个半导体芯片到达所述输出端子的 电流路径的长度和从所述低压端子经由所述另一个半导体芯片到达 所述输出端子的电流路径的长度实质上相等。

3.如权利要求1记载的半导体装置,其特征在于:

所述一对所述半导体芯片分别具有电力用半导体元件和整流用 半导体元件,

在进行与所述整流用半导体元件相比流过所述电力用半导体元 件的电流的比例变大的半导体装置的驱动的情况下,所述一个半导 体芯片的所述电力用半导体元件在所述高压汇流条上被配置在相对 于所述高压端子远的一侧,所述另一个半导体芯片的所述电力用半 导体元件在所述第2金属配线板上被配置在相对于所述低压端子远 的一侧,

在进行与所述整流用半导体元件相比流过所述电力用半导体元 件的电流的比例变小的半导体装置的驱动的情况下,所述一个半导 体芯片的所述电力用半导体装置在所述高压汇流条上被配置在相对 于所述高压端子近的一侧,所述另一个半导体芯片的所述电力用半 导体元件在所述第2金属配线板上被配置在相对于所述低压端子近 的一侧。

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