[发明专利]一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法

权利要求书

1.一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法，其特征在于该方法包括如下步骤：

1)把沉积在基底上的微纳米金属互连线试样放置于聚焦离子束系统的平台上，选择一根微纳米金属互连线的一个区域作为研究对象；

2)在微纳米金属互连线表面通过聚焦离子束辐照制作散斑或利用聚焦离子束刻蚀单向光栅，将散斑或单向光栅作为微纳米金属互连线上的微纳米标记；之后采集散斑或单向光栅的图像，作为裂纹刻蚀前的微纳米标记图像；

3)通过聚焦离子束系统中的聚焦离子束在微纳米金属互连线上的微纳米标记区域刻蚀一条垂直于轴向的贯穿裂纹，以释放微纳米金属互连线内部的轴向残余应力，再采集裂纹刻蚀后微纳米金属互连线上的微纳米标记图像；

4)在微纳米金属互连线的裂纹附近选择一个计算区域，使计算区域的一条边为裂纹的边缘，用数字图像相关法分析微纳米金属互连线上裂纹刻蚀前、后的微纳米标记图像，并计算微纳米金属互连线在裂纹附近由于轴向残余应力释放而产生的变形，即为微纳米金属互连线的残余变形。

2.按照权利要求1所述的一种测量微纳米金属互连线残余变形的方法，其特征在于：在所选择的微纳米金属互连线上用聚焦离子束制作微纳米标记、刻蚀裂纹、采集图像均在聚焦离子束系统中原位进行；若微纳米标记为散斑，聚焦离子束的辐照遍数为4～8；若微纳米标记为单向光栅，单向光栅的主方向与微纳米金属互连线的轴向平行，单向光栅的频率为1000line/mm～10000line/mm。

3.按照权利要求1或2所述的测量微纳米金属互连线残余变形的方法，其特征在于：在微纳米金属互连线上刻蚀的裂纹深度与微纳米金属互连线的厚度相等，裂纹宽度为30nm～50nm。