[发明专利]包括相互间隔开的衬底的功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块，包括

-模块底侧；

-模块外壳；

-相互间隔开的至少两个衬底，其中每个包括面对模块外壳的内部的顶侧以及背对模块外壳的内部的底侧；

由此，

-每个衬底的底侧包括同时形成模块底侧的一部分的至少一个部分；以及

-设置在两个相邻衬底之间的至少一个安装装置使得能够将所述功率半导体模块固定于热沉。

2.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述安装装置被配置为沿着垂直于所述模块底侧的方向延伸通过所述功率半导体模块的安装孔。

3.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述安装孔被完全布置在两个相邻衬底之间。

4.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述安装装置被布置在两个相邻衬底的彼此相对的两个外缘之间的中间。

5.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，每个衬底在其顶侧处包括顶侧金属化物。

6.如权利要求5所述的功率半导体模块，其中，至少两个衬底的顶侧金属化物借助于接合元件被以导电方式连接。

7.如权利要求6所述的功率半导体模块，其中，所述接合元件被配置为接合线或夹。

8.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，每个衬底在其底侧处包括底侧金属化物。

9.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，至少一个、几个或每个衬底被配置为金属化陶瓷片。

10.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，没有衬底在顶侧与底侧之间包括通孔。

11.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述模块外壳在底侧处包括衬底被插入其中的凹坑。

12.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，至少两个相邻衬底借助于布置在其之间的凸缘相互间隔开。

13.如权利要求1所述的功率半导体模块，包括在所述模块外壳的内部电接合到至少一个衬底并从所述模块外壳的顶侧引出的许多端子。

14.如权利要求1所述的功率半导体模块，其中，布置在每个衬底上的是至少一个功率半导体芯片。

15.如权利要求14所述的功率半导体模块，其中，以下部件中的至少一个被布置在每个衬底上：IGBT、反向导通IGBT、MOSFET、J-FET、晶闸管、二极管。

16.如权利要求14所述的功率半导体模块，其中，布置在每个衬底上的是至少一个可控功率半导体开关和续流二极管。

17.如权利要求14所述的功率半导体模块，包括至少两个半桥支路，每个包括可控高侧功率半导体开关和可控低侧功率半导体开关，其负载电路被串联连接，每个半桥支路被布置在不同的衬底上。

18.如权利要求14所述的功率半导体模块，包括至少两个半桥支路，每个包括可控高侧功率半导体开关和可控低侧功率半导体开关，其负载电路被串联连接，所有可控高侧功率半导体开关被布置在第一个衬底上且所有可控低侧功率半导体开关被布置在第二个衬底上。

19.如权利要求14所述的功率半导体模块，包括第一半桥支路、第二半桥支路和第三半桥支路，其中每个包括可控高侧功率半导体开关和可控低侧功率半导体开关，其负载电路被或能够被串联连接，其中

-第一半桥支路的可控高侧功率半导体开关及第一半桥支路和第二半桥支路的可控低侧功率半导体开关连同包括第二半桥支路的可控低侧功率半导体开关的负载电路的串联连接的高侧二极管一起被布置在第一个衬底上；以及

-第三半桥支路的可控低侧功率半导体开关及第二半桥支路和第三半桥支路的可控高侧功率半导体开关连同包括第二半桥支路的可控高侧功率半导体开关的负载电路的串联连接的低侧二极管一起被布置在第二个衬底上。

20.如权利要求14所述的功率半导体模块，对于每个可控高侧功率半导体开关及对于每个可控低侧功率半导体开关而言包括连同相应可控高侧或低侧功率半导体开关一起布置在同一衬底上并反并联地以电路连接到相应可控高侧或低侧功率半导体开关的负载电路的续流二极管。