[发明专利]一种选择性去甲肾上腺素再摄取抑制剂及其在制备注意缺陷多动障碍药物中的用途

说明书

技术领域

本发明涉及一种选择性去甲肾上腺素再摄取抑制剂以及其在制备注意缺陷多动障碍药物中的用途。 

背景技术

注意缺陷多动障碍(Attention deficit/hyperactivity disorder，ADHD)多起病于3岁左右，常持续至青少年期并有60％持续至成人。其主要临床特征为注意分散、活动过度和行为冲动，可具体表现为完成任务困难、遗忘、挫折承受力低、危险行为，常共病多种精神障碍如焦虑障碍、抑郁障碍、双相情感障碍、反社会型人格障碍、物质滥用和依赖等，造成患者生活、工作、社会功能受损及巨大的医疗和社会经济负担。 

药物治疗是ADHD的主要治疗方法，中枢兴奋剂(如哌醋甲酯、右旋安非他明)为治疗本病的主要药物。临床实践已证明中枢兴奋剂用于治疗ADHD安全有效，但由于其可致失眠，食欲减退，抽动，焦虑不安，易激惹，心悸，血压升高，发音困难以及反跳等副作用，常需要不断加量，且有潜在的成瘾滥用性，造成一些病人不能耐受。三环类抗抑郁药作为二线药，虽也可用于改善症状，但因存在严重的心脏毒性等不良反应而限制了其治疗应用。 

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种选择性去甲肾上腺素再摄取抑制剂以用于制备注意缺陷多动障碍药物。 

为解决以上技术问题，本发明采取如下技术方案： 

具有通式(Ⅰ)的化合物及其可药用盐： 

式(Ⅰ)中： 

R为选自下列基团中的一种： 

CH₂Ra、OCH₂Ra、CORc、CHRdRi、(CH₂)nRj、 

以及 

其中： 

Ra表示H；C1～C5烷基；一个或多个氟原子取代的C1～C8烷基；苯基，其为未取代，或者为一个或多个选自氟、氯、溴、C1～C6烷氧基、 1～C6巯基、C1～C6胺基的基团所取代；或者吡啶基，其为未取代，或者为一个或多个选自氟、氯、溴、C1～C6烷氧基、C1～C6巯基、C1～C6胺基的基团所取代； 

Rc表示H、CH₂Ra、OCH₂Ra、C2～C12仲胺、CHRd(NHRe)、NReCHRd(COORg)、2-呋喃基、1-联六氢吡啶基或1-吗啉基； 

Rd为H或C1～C6烷基； 

Re为H、CH₂Rf、C1～C7羰基或C 1～C7酯基； 

Rg表示H或CH₂Rf； 

Rf表示C1～C5烷基；一个或多个氟原子取代的C1～C8烷基；苯基，其为未取代，或者为一个或多个选自氟、氯、溴、C1～C6烷氧基、C1～C6巯基、C1～C6胺基的基团所取代；或者Rf表示吡啶基，其为未取代，或者为一个或多个选自氟、氯、溴、C1～C6烷氧基、C1～C6巯基、C1～C6胺基的基团所取代； 

Ri表示NReCHRd(COORg)、OCOCHRd(NHRe)或OCOORg； 

Rj表示2-呋喃基、1-联六氢吡啶基或1-吗啉基； 

n为1～6之间的整数，Y表示C1～C6烷基。 

根据本发明，n优选为2或3。 

根据本发明，代表性的化合物有式(Ⅱ)、式(Ⅲ)、式(Ⅳ)、式(Ⅴ)、式(Ⅵ)以及式(Ⅶ)表示的化合物。 

根据本发明，所述的可药用盐包括但不限于盐酸盐、磷酸盐、硫酸盐、醋酸盐、马来酸盐、苯磺酸盐、甲基苯磺酸盐、富马酸盐、酒石酸盐等。 

由于以上技术方案的实施，本发明与现有技术相比具有如下优点：