[发明专利]多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法

权利要求书

1.一种多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法，其特征在于，多线切割机的切割线采用直径100微米到150微米的钢线，砂浆采用5微米粒径的金刚石微粉与切削油的混合体，利用钢线高速运动携带砂浆对由工作台进给的碳化硅晶体进行磨削切割，具体步骤为：

(1)粘接：粘接晶体，将待切割碳化硅晶体柱头尾相接粘接，固定在多线切割机的工作台上；

(2)绕线：校准切割机张力后，将切割钢线均匀布满在多线切割机的绕线槽轮上；

(3)设定切割速度、喷浆量、钢线张力和热机时间；

(4)安装砂浆防护挡板，使多线切割机进入切割状态；

(5)切割结束，从工作台上移出切割好的碳化硅晶片；

2.根据权利要求1所述的多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法，其特征在于，切割过程中，切割速度在晶体截面不同位置是变化的，将工作台匀速进给切割改为连续、分段不同速度进给，2英寸切割平均速度在2.47-3.39mm/h，3英寸切割平均速度在1.62-2.50mm/h，4英寸切割平均速度在1.2-1.5mm/h。

3.根据权利要求1或2所述的多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法，其特征在于，分段不同速度进给的分段数为3-50段。

4.根据权利要求1所述的多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法，其特征在于，步骤1所粘接的晶体柱的数量为1-10柱，粘接后的晶体柱总长度可达105毫米。

5.根据权利要求1-4之一所述的多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法，其特征在于，切割所得晶片的厚度为200微米以上。

6.根据权利要求1-5之一所述的多线切割机分段切割碳化硅晶体的方法，其特征在于，切割所得2英寸晶片的翘曲度不大于15微米，TTV不大于10微米，3英寸晶片的翘曲度不大于20微米，TTV不大于15微米，4英寸晶片的翘曲度不大于25微米，TTV不大于20微米。