[发明专利]激光器二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种激光器二极管，包括：

有源层；

条形脊，设置在所述有源层上方；

成对的谐振器端面，从所述条形脊的延伸方向夹住所述有源层和所述条形脊；

高台部分，设置为在所述成对的谐振器端面的至少一个谐振器端面中及所述至少一个谐振器端面附近与所述脊的两个侧面接触；

其中从所述有源层到所述高台部分的表面的厚度在所述谐振器端面侧较大，而在所述脊的中央侧较小，并且所述厚度从所述谐振器端面侧的较厚部分连续地变化到所述脊的中央侧的较薄部分。

2.根据权利要求1所述的激光器二极管，其中凹槽设置在所述高台部分中，并且

所述凹槽沿与所述脊的延伸方向平行的方向延伸，或者所述凹槽延伸为使得，随着所述凹槽接近所述谐振器端面，所述凹槽与所述脊之间的间距变小。

3.根据权利要求1所述的激光器二极管，其中所述高台部分设置为在两个谐振器端面中及所述两个谐振器端面附近与所述脊的两个侧面接触，并设置为在其他区域远离所述脊。

4.根据权利要求3所述的激光器二极管，其中所述凹槽从一个谐振器端面附近延伸到另一个谐振器端面附近，并且所述凹槽延伸为使得，随着所述凹槽接近所述谐振器端面，所述凹槽与所述脊之间的间距变小。

5.一种激光器二极管的制造方法，包括：

第一步，在基板上形成第一半导体层，所述第一半导体层从所述基板侧开始依次包括下覆层和有源层；

第二步，在所述第一半导体层的上表面中，在作为要形成脊的条形脊区域的两侧的至少一个区域的位置中设置凹槽，所述至少一个区域远离所述条形脊区域并至少是器件区域的外边沿，所述位置是被格子形的切割区域围绕的所述器件区域，所述切割区域是随后所述基板被切割的区域；

第三步，在包括所述凹槽的所述第一半导体层的上表面上形成至少由上覆层构成的第二半导体层；以及

第四步，在所述第二半导体层的上表面中与所述条形脊区域对应的区域中形成绝缘层，并通过采用所述绝缘层作为掩模来选择性蚀刻所述第二半导体层。

6.根据权利要求5所述的激光器二极管的制造方法，其中通过所述第四步中的蚀刻，所述脊形成在所述第二半导体层中，并且与所述脊的两个侧面接触的高台部分形成在所述器件区域的外边沿中，在所述高台部分中从所述有源层到所述第二半导体层的表面的厚度在接近所述切割区域的位置较大，而在接近所述器件区域的中央的位置较小，并且所述厚度从接近所述切割区域的较厚部分连续地变化到接近所述器件区域的中央的较薄部分。

7.根据权利要求5所述的激光器二极管的制造方法，其中在所述第二步中，在所述器件区域的外边沿，所述凹槽形成为沿与所述条形脊区域的延伸方向平行的方向延伸，或者所述凹槽形成为沿一方向延伸，在这一方向上随着所述凹槽接近所述切割区域，所述凹槽与所述条形脊区域之间的间距变小。

8.根据权利要求6所述的激光器二极管的制造方法，其中在所述第二步中，所述凹槽仅形成在所述器件区域的外边沿中，并且

在所述第四步中，在所述凹槽形成在所述器件区域的外边沿的区域的附近，所述高台部分形成为与所述脊的两个侧面接触。

9.根据权利要求6所述的激光器二极管的制造方法，其中当在所述切割区域中，将所述器件区域夹在其间且彼此相对的成对区域是成对的边区域时，

在所述第二步中，所述凹槽形成为从一个边区域附近延伸到另一个边区域附近，并且在所述边区域附近所述凹槽形成为沿一方向延伸，在这一方向上随着所述凹槽接近所述切割区域，所述凹槽与所述脊区域之间的间距变小，并且

在所述第四步中，所述高台部分形成为在所述边区域附近与所述脊的两个侧面接触，并形成为在其他区域远离所述脊。