[发明专利]触控面板及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种触控面板，特定来说涉及一种电容式触控面板。

背景技术

图1A显示传统电容式触控面板100，除液晶、彩色滤光片以外，触控电路还需要有额外至少一玻璃衬底101，在所述玻璃衬底两侧具有作为感测单元及驱动单元的铟锡氧化物102、103，其中上层铟锡氧化物102与下层铟锡氧化物103呈垂直布置，而玻璃衬底101与面板104之间布置有UV膜光学胶105，再利用真空方式将玻璃衬底101与面板104贴合。图1B是显示此传统电容式触控面板的截面图。

由于电子装置轻薄短小的需求，许多掌上型电子装置为了方便携带，进一步要求整体厚度更为轻薄。而在传统的触控面板中，面板与触控电路的衬底各自独立，从而增加了电子装置的整体厚度。

此外，由于触控面板表面需要承受来自面板外部的压触，因此如果将触控电路直接形成于前述面板104上，那么来自外部压触的应力可能造成电路的电性影响，而面板104经多次压触的应力施加，可能会使面板产生裂痕，甚至造成内部电路的损坏。因此，急需一种能够集成元件衬底的结构与工艺，并提高触控面板强度。

发明内容

为有效减少电子装置的衬底数目，本发明将触控面板的触控电路集成到面板上并提高触控面板强度，以减少需要贴合的衬底数目，借此可减少衬底贴合所造成的问题并有效减小触控面板整体厚度。

本发明的实施例揭示一种形成触控面板的方法，其包含：通过化学方法强化玻璃衬底，其中所述玻璃衬底包含碱金属氧化物；所述玻璃衬底下方形成铟锡氧化物层；及在所述铟锡氧化物层上形成感测电路、驱动电路及其之间的互连电路。

本发明的另一实施例揭示一种触控面板，其包含：经化学方法强化的玻璃衬底，所述玻璃衬底包含60wt％到80wt％的氧化硅、1wt％到15wt％的氧化铝及0.1wt％到15wt％的碱金属氧化物(M₂O)；及铟锡氧化物层，其形成于所述玻璃衬底下方，所述铟锡氧化物层上形成有感测电路、驱动电路及其之间的互连电路。

附图说明

图1A显示传统电容式触控面板；

图1B显示传统电容式触控面板的截面图；

图2显示本发明的形成触控面板的方法的实施例；及

图3显示四点弯曲测试方法。

具体实施方式

图2揭示本发明所揭示的一种形成触控面板的方法及流程图。首先提供玻璃衬底，所述玻璃衬底包含碱金属氧化物(M₂O)，利用化学方法对玻璃衬底进行强化处理，经过化学方法强化处理的玻璃衬底将在衬底的上下表面上形成压应力。在玻璃衬底的下方形成铟锡氧化物层，并使所形成的铟锡氧化物层与上述经化学方法强化处理的玻璃表面应力大约一致，从而形成为压应力的铟锡氧化物层，以维持经强化处理的玻璃表面。接着在铟锡氧化物层上形成触控面板的感测电路、驱动电路及其之间的互连电路。

在优选实施例中，所提供的玻璃衬底具有重量百分比为60％到80％的氧化硅、1wt％到15wt％的氧化铝及0.1wt％到15wt％的碱金属氧化物。在另一优选实施例中，玻璃衬底进一步另包含下列各项中的至少一者：氧化钙、氧化镁、氧化铁、氧化硼及氧化硫以及其类似物，其中玻璃衬底中的氧化钙含量最多可达13wt％，氧化镁最多可达13wt％，而氧化铁、氧化硼及氧化硫分别最多可达1wt％。

在优选实施例中，其中玻璃衬底中的碱金属氧化物是氧化锂(Li₂O)、氧化纳(Na₂O)。在另一优选实施例中，将玻璃衬底浸入高温的亚硝酸或硝酸溶液中，利用亚硝酸或硝酸溶液与玻璃衬底发生化学反应来进行对玻璃衬底的强化处理。溶液中的钾离子进入玻璃衬底中，将玻璃衬底中的碱金属离子置换出来。例如，玻璃衬底中具有氧化锂及/或氧化纳，钾离子与锂离子及/或钠离子交换，与锂离子及钠离子相比，由于钾离子的离子半径较大，因此其进入玻璃衬底中，将玻璃衬底表面的氧化锂及/或氧化纳置换为氧化钾，从而将形成玻璃衬底表面的压应力。

在实施例中，在玻璃衬底经上述化学方法强化处理之后，利用四点弯曲测试(4point-bending test)，可知玻璃衬底表面压应力为大于8GPa，在优选实施例中，玻璃衬底表面为约9GPa。