[发明专利]发光器件、发光器件封装以及包括该封装的照明系统

权利要求书

1.一种发光器件(LED)，包括：

包括第一导电型的第一半导体层、邻接所述第一半导体层的有源层、以及邻接所述有源层的第二导电型的第二半导体层的发光结构；

邻接所述第二半导体层的电流阻挡层；

邻接所述第一半导体层的第一电极；和

邻接所述第二半导体层的第二电极；

其中所述电流阻挡层包括半导体区域。

2.根据权利要求1所述的LED，其中所述电流阻挡层包括GaN半导体层。

3.根据权利要求1所述的LED，其中所述半导体区域为第一导电型。

4.根据权利要求1所述的LED，其中所述半导体区域是未掺杂的半导体区域。

5.根据权利要求1所述的LED，其中所述半导体区域是轻度掺杂的半导体区域。

6.根据权利要求1所述的LED，其中所述第一电极与所述电流阻挡层的至少一部分在空间上交叠。

7.根据权利要求1所述的LED，其中所述电流阻挡层设置在所述第二半导体层中。

8.根据权利要求1所述的LED，其中所述电流阻挡层设置在所述第二电极中。

9.根据权利要求1所述的LED，其中在除了其中所述电流阻挡层接触所述第二半导体层的区域之外，在所述第二半导体层和所述第二电极之间提供欧姆接触。

10.一种LED封装，包括：

根据权利要求1所述的LED；和

其中设置所述LED的封装体。

11.一种照明系统，包括具有根据权利要求10所述的LED封装的发光模块。

12.一种制造发光器件(LED)的方法，包括：

在第一导电型的第一半导体层上形成有源层；

在所述有源层上形成第二导电型的第二半导体层；

在所述第二半导体层上形成包括半导体区域的电流阻挡层；

在所述第一半导体层上形成第一电极，其中所述第一电极设置为与形成于所述第二半导体层上的所述电流阻挡层在空间上交叠；和

在所述第二半导体层和所述半导体区域上形成第二电极。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述电流阻挡层的步骤包括：

在所述第二半导体层的表面上放置第一掩模；和

利用所述第一掩模来掺杂所述第二半导体层的表面，以形成导电型不同于所述第二半导体层的导电型的所述半导体区域。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述半导体区域的导电型是第一导电型。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述半导体区域是未掺杂的或者轻度掺杂的半导体区域中的至少一种。

16.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述电流阻挡层的步骤包括：

在所述第二半导体层的顶部上形成半导体区域。

17.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述第二电极的步骤包括：在除了其中所述电流阻挡层接触所述第二半导体层的区域之外，在所述第二电极和所述第二半导体层之间形成欧姆接触。

18.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述电流阻挡层的步骤还包括：调整所述电流阻挡层的厚度以控制与所述电流阻挡层在空间上交叠的所述有源层中的载流子分布。

19.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述电流阻挡层的步骤还包括：调整所述电流阻挡层的掺杂浓度以控制与所述电流阻挡层在空间上交叠的所述有源层中的载流子分布。

20.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述第二电极的步骤还包括：调整所述第二电极的欧姆接触以改变在所述第一电极之下的有源区中的电压降，其中所述电压降控制与所述电流阻挡层在空间上交叠的所述有源层中的载流子分布。