[发明专利]一种锗隧穿二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种锗隧穿二极管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：使用低掺杂锗片为基片，采用旋涂掺杂法使基片掺杂为重掺杂n型锗片；

步骤2：采用金属淀积法用铝覆盖重掺杂n型锗片的中部；

步骤3：光刻后以湿法蚀刻法形成台地；

步骤4：采用等离子体化学气相沉积法沉积氮化镓覆盖台地；

步骤5：采用快速退火工艺，使铝及表面的锗溶解为液体，形成铝锗共镕液，上覆氮化镓作为微型坩埚使铝锗共镕液保持稳定；

步骤6：快速退火后冷却，形成重掺杂p型锗，与原重掺杂n型锗形成隧穿二极管。

2.一种应用如权利要求1所述的制备方法取得的锗隧穿二极管，其特征在于，包括自下而上依次迭置的重掺杂n型锗衬底、重掺杂p型锗层、铝锗合金层、氮化镓化合物层。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述快速退火工艺的温度为500℃到700℃，所述铝锗共镕液高度为100nm到120nm。

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述快速退火工艺的温度为600℃，所述铝锗共镕液高度为110nm。

5.根据权利要求2所述的锗隧穿二极管，其特征在于，所述重掺杂P型锗层高度为50nm-70nm。

6.根据权利要求5所述的锗隧穿二极管，其特征在于，所述重掺杂p型锗层高度为60nm。