[发明专利]芯片外观检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种检测装置及检测方法，尤其涉及一种芯片外观检测装置及芯片外观检测方法。

背景技术

芯片的不良率降低及产量提高为目前业界所相互竞争的指标，但是整体的仍有3％的不良率，在电子芯片制造上大致会有“黄光区”、“沉积区”、“扩散区”、“注入区”、“切割区”及“测试区”等各流程，这些不良率可能来自于上述工艺的任何一区，而这些不良芯片可能有刮伤或扩散不完全等特点，所以在色泽上会与良好的芯片有少许的不同，经由人工目视的方式将不良芯片点上墨水辨识，再将那些不良的芯片从整片晶片中挑出剃除，这挑出不良芯片的工作非常浪费时间且没有效率的，而且使用墨水又会造成环境污染及成本浪费，因为业者本身无法精确控制一晶片上会有多少不良芯片或是那些是不良芯片的区域，这些缺点造成了在工艺成本上不少的浪费，所以在改善产品良率的同时，如何得知不良芯片的数量及不良芯片的区域是现在业界亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题，在于提供一种芯片外观检测装置及芯片外观检测方法。本发明除了可免除人工作业及墨水浪费外，更能通过电脑以计算出不良发光二极管芯片的数量及区域，进而使移除不良发光二极管芯片的工艺更为方便。

为了解决上述技术问题，根据本发明的其中一种方案，提供一种芯片外观检测方法，其利用一芯片检测装置将一晶片的不良发光二极管芯片的数量及位置检测出，该晶片由多个发光二极管芯片所组成，其中该芯片外观检测方法包括下列步骤：将该晶片放置在一检测平台上，在该检测平台内设有一第二光源；使一第一光源发射一第一光线至一分光镜中，而该分光镜将该第一光线变换成一投射至该晶片上的第二光线，该第二光线经由该晶片吸收后转换为一第三光线，该第三光线穿过该分光镜而发射出去；该第三光线穿过一滤光片并转换成一第四光线，由一感光装置接收该第四光线，用以辨识每一个发光二极管芯片的大小状态及每一个发光二极管芯片的电极是否有刮伤与污染，该感光装置接收该第四光线后传出一数据资料，并由一计算装置将该数据资料处理转换成一不良发光二极管芯片数据，该不良发光二极管芯片数据包括不良发光二极管芯片数量及不良发光二极管芯片的位置；以及，使该第二光源发射一第五光线，该第五光线穿过该晶片以形成一第六光线，该第六光线穿过该分光镜及该滤光片而转换成一第七光线，由该感光装置接收该第七光线，用以辨识每一个发光二极管芯片的电极位置与每一个发光二极管芯片的发光区是否有刮伤与污染。

本发明的有益效果在于：本发明除了可免除人工作业及墨水浪费以使得制造成本降低及效率提高外，更能通过电脑以计算出不良发光二极管芯片的数量及区域，进而使移除不良发光二极管芯片的工艺更为方便。因此，通过得知不良发光二极管芯片的数量及区域，使制造发光二极管芯片过程中更能掌握造成不良发光二极管芯片的原因，进而使得发光二极管芯片的良率增加。

为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明

图1为本发明第一实施例的主视示意图；

图2为本发明发光二极管芯片的正极焊垫与负极焊垫的俯视示意图；

图3为本发明第二实施例的主视示意图；

图4为本发明第三实施例的主视示意图；

图5为本发明第三实施例的环形光源的立体示意图；

图6为本发明第三实施例的部分放大示意图；

图7为本发明第三实施例使用外壳的剖面示意图；

图8为本发明第四实施例的主视示意图；

图9为本发明第五实施例的主视示意图；以及

图10为本发明第六实施例的主视示意图。

上述附图中的附图标记说明如下：

晶片            W        发光二极管芯片    d

正极焊垫        P

负极焊垫        N

侧边            S

检测平台        1        中空平台          10

穿孔            100

分光镜          2

第一光源        3        第一光束          L1

第二光束        L2

第三光束        L3

第四光束        L4

第五光束        L5