[发明专利]有机金属化学气相沉积机台

说明书

技术领域

本发明涉及一种化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)机台，且特别是涉及一种有机金属化学气相沉积(Metal-Organic CVD；MOCVD)机台。

背景技术

在发光二极管(LED)的制作过程中，由于发光二极管中的半导体材料层的品质与发光二极管的发光品质息息相关，因此各半导体材料层的外延程序是相当重要的步骤。而发光二极管的外延程序中，一般均需要利用晶片承载盘(Wafer Susceptor)来装载晶片。

一般，在目前的晶片承载盘技术中，都是单一晶片承载盘仅能装载单一种尺寸的晶片。以现在的发光二极管外延工艺而言，晶片承载盘的设计都是以2英寸晶片承载区来布满整个晶片承载盘。其中，由于这些晶片承载区的尺寸小，因此可以紧密排列方式设置，进而可获得较大的晶片承载盘利用效率。

随着工艺技术的进步，所采用的晶片尺寸也逐渐增加。举例而言，在发光二极管的制作上，蓝光外延基板由原先的2英寸发展至现今的4英寸。基板尺寸的增加一般的目的是用以降低后续管芯工艺的成本。但是，受限于原反应腔体的尺寸，而无法将扩大晶片承载盘的尺寸。此时，晶片承载盘的承载区重新规划调整来装载4英寸晶片后，所能设置的4英寸晶片承载区的数量会大幅缩减至7个。

请参照图1，其绘示传统晶片承载盘上二种尺寸的晶片承载区的布局示意图。在此晶片承载盘100上，若设计用以装载2英寸晶片时，可在晶片承载盘100的表面102上设置31个2英寸的晶片承载区104，如图1所示的虚线圆。在此设计下，小尺寸的晶片承载区104可紧密排列。另一方面，当将晶片承载盘100设计来装载4英寸晶片时，受限于晶片的尺寸的影响，仅能在晶片承载盘100的表面102上设置7个4英寸的晶片承载区106，如图1所示的实线圆。

由图1可看出，设置4英寸的晶片承载区106时，晶片承载盘100的表面102面积的利用率明显低于设置2英寸的晶片承载区104时。如此一来，在相同尺寸有机金属化学气相沉积(Metal-Organic CVD；MOCVD)机台的反应腔体下，大尺寸晶片的采用虽然可以节省后续管芯工艺的成本，但是在于前段的外延工艺时，不仅没有达到增加元件产出数量的目的，反而降低了元件的产出数量，进而有提高工艺成本的情况产生。

发明内容

因此，本发明的一态样就是在提供一种有机金属化学气相沉积机台，其晶片承载盘设置多尺寸的晶片承载区，如此一来，可更有效地利用晶片承载盘的使用空间。

本发明的另一态样是在提供一种有机金属化学气相沉积机台，其晶片承载盘的设计具有高承载空间，因此可大幅提高元件的生产效率，产能可获得提升。

本发明的又一态样是在提供一种有机金属化学气相沉积机台，其可兼顾晶片承载盘的空间的利用率与大尺寸晶片的采用，因此可降低生产成本。

根据本发明的上述目的，提出一种有机金属化学气相沉积机台。此有机金属化学气相沉积机台包含反应腔体、旋转座、晶片承载盘、加热器以及喷气头(Shower Head)。反应腔体具有开口。旋转座设于反应腔体中。晶片承载盘设于旋转座上，且旋转座可带动晶片承载盘旋转。其中，晶片承载盘包含至少二不同直径的多个承载区，设于晶片承载盘的表面上，这些承载区适用以对应装载多个晶片。加热器设于晶片承载盘下方，且位于旋转座内。喷气头覆盖在反应腔体的开口上，以朝晶片承载盘的表面上施放反应气体。

依据本发明的实施例，上述的承载区中包含直径相同的多个第一承载区、以及直径相同的多个第二承载区，且第一承载区的直径大于第二承载区的直径。

依据本发明的另一实施例，上述的第一承载区的深度大于第二承载区的深度。

依据本发明的又一实施例，上述的第一承载区的深度等于第二承载区的深度。

依据本发明的再一实施例，上述的承载区的深度小于对应装载的晶片的厚度。

通过在晶片承载盘上设置至少二种尺寸的晶片承载区，可更有效地利用晶片承载盘的使用空间，因此不仅可兼顾晶片承载盘的空间的利用率与大尺寸晶片的采用，更可达到提高元件的生产效率与降低生产成本的目的。

附图说明

为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，附图的说明如下：

图1绘示传统晶片承载盘上二种尺寸的晶片承载区的布局示意图。

图2绘示依照本发明实施方式的一种有机金属化学气相沉积机台的装置示意图。

图3绘示依照本发明实施方式的一种晶片承载盘的俯视图。