[发明专利]太阳能电池及其制造方法

权利要求书

1.一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：

半导体基底，包括p型层和n型层；

介电层，设置在所述半导体基底上并且包括由下面的化学式1表示的硅酸盐：

化学式1

x M₂O₃·y SiO₂

其中，M为第13族元素且x和y为实数，0＜2x＜y且x+y＝1；

第一电极，与所述半导体基底的所述p型层电连接；

第二电极，与所述半导体基底的所述n型层电连接。

2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，M包括硼、铝、镓、铟、铊或包含至少一种前述元素的组合物。

3.如权利要求2所述的太阳能电池，其中，M包括硼或铝。

4.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述介电层具有1纳米至100纳米的厚度。

5.如权利要求1所述的太阳能电池，所述太阳能电池还包括保护层，所述保护层设置在所述介电层的表面上，所述保护层具有比所述介电层的折射率低的折射率。

6.如权利要求5所示的太阳能电池，其中，所述保护层包含氮化硅、氧化硅、氧化铝或包含至少一种前述物质的组合物。

7.如权利要求5所述的太阳能电池，其中，所述保护层具有100纳米至700纳米的厚度。

8.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，所述半导体基底还包括第一侧和相对的第二侧，所述介电层设置在所述半导体基底的第一侧上，并且所述太阳能电池还包括设置在所述半导体基底的第二侧上的防反射涂层。

9.如权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述n型层与所述半导体基底的第一侧邻近，所述p型层与所述半导体基底的第二侧邻近。

10.如权利要求8所述的太阳能电池，其中，所述p型层与所述半导体基底的第一侧邻近，所述n型层与所述半导体基底的第二侧邻近。

11.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：

设置包括p型层和n型层的半导体基底；

在所述半导体基底的一侧上设置包括由下面的化学式1表示的硅酸盐的介电层：

化学式1

x M₂O₃·y SiO₂

其中，M为第13族元素且x和y为实数，0＜2x＜y且x+y＝1；

设置第一电极与所述半导体基底的所述p型层电连接；

设置第二电极与所述半导体基底的所述n型层电连接，从而形成所述太阳能电池。

12.如权利要求11所述的方法，其中，M包括硼、铝、镓、铟、铊或包含至少一种前述元素的组合物。

13.如权利要求12所述的方法，其中，M包括硼或铝。

14.如权利要求11所述的方法，其中，设置所述介电层的步骤包括设置硅源、M源和含氧气体。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述硅源包括包含硅的化合物，所述包含硅的化合物具有与硅成共价键的部分，所述与硅成共价键的部分为氢、取代的或未取代的C1至C30的烷基、取代的或未取代的C3至C30的环烷基、取代的或未取代的C6至C30的芳基、取代的或未取代的C1至C30的烷氧基、取代的或未取代的酰胺基或包含至少一种前述物质的组合物。

16.如权利要求15所述的方法，其中，所述硅源包括四乙氧基硅。

17.如权利要求14所述的方法，其中，所述M源包括包含第13族元素的化合物，所述包含第13族元素的化合物具有与所述第13族元素成共价键的部分，所述与第13族元素成共价键的部分为氢、取代的或未取代的C1至C30的烷基、取代的或未取代的C3至C30的环烷基、取代的或未取代的C6至C30的芳基、取代的或未取代的C1至C30的烷氧基、取代的或未取代的酰胺基或包含至少一种前述物质的组合物。

18.如权利要求17所述的方法，其中，所述第13族元素为硼或铝。

19.如权利要求17所述的方法，其中，所述M源包括三甲基铝、三甲基硼或包含至少一种前述物质的组合物。