[发明专利]单室反应器中制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 201010181242.7 | 申请日： | 2010-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN102024676A | 公开（公告）日： | 2011-04-20 |
| 发明（设计）人： | 李沅民;张迎春;林朝晖 | 申请（专利权）人： | 福建钧石能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362000 福建省泉州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 反应器 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种在单室反应器中制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括至少一个p-i-n叠层结，其特征在于：所述方法在沉积i层之前执行下列步骤：
a、通入含氧气体对所述反应器内的残留物进行反应吹扫；
b、将含氧残留物排出。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述含氧气体包括纯氧、氧化氮、干燥空气中的一种或几种的组合。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：采取直接抽真空的方式将含氧残留物排出。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤a在p层沉积结束之后进行。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤a在前一结的n层沉积结束之后，或在前一结的n层和后一结的p层沉积结束之后进行。
6.如权利要求1或4或5所述的方法，其特征在于：所述步骤a的执行时间包括1～10分钟的范围。
7.一种在单室反应器中制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括至少一个p-i-n叠层结，其特征在于：所述方法在沉积i层之前执行下列步骤：
a、通入含氧气体对所述反应器内的残留物进行反应吹扫；
b、通入易与所述含氧气体反应的气体和/或惰性气体，将含氧残留物排出。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述易与含氧气体反应的气体包括硅烷、双硅烷或氯化硅，或它们中的一种或几种与氢气的混和气体。
9.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述步骤a的执行时间包括1～10分钟的范围。
10.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述步骤a在p层沉积结束之后进行。
11.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述步骤a在前一结的n层沉积结束之后，或在前一结的n层和后一结的p层沉积结束之后进行。
12.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述惰性气体包括氩气、氦气。
13.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述步骤b的执行时间包括3～15分钟的范围。
14.如权利要求7所述的方法，其特征在于：所述n层的掺杂剂包括磷(P)、砷(As)或锑(Sb)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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