[发明专利]接触插塞底部轮廓的检测方法有效
| 申请号： | 201010181380.5 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN102254845A | 公开（公告）日： | 2011-11-23 |
| 发明（设计）人： | 黄雪青;林岱庆;何永;谢振 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 接触 底部 轮廓 检测 方法 | ||
1.一种接触插塞底部轮廓的检测方法，包括：
提供一晶片，该晶片包括形成有有源区的半导体基底、位于半导体基底上的第一介电层、贯穿第一介电层并与有源区电连接的接触插塞、形成于第一介电层和接触插塞上的第二介电层以及贯穿第二介电层并与接触插塞电连接的金属层；
去除所述金属层和第二介电层；
采用干法刻蚀的方式去除部分第一介电层；
去除所述接触插塞以形成检测样片；
采用扫描式电子显微镜检测所述检测样片。
2.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第二介电层的材质为氧化硅或氮化硅中的一种或其组合。
3.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，采用化学机械研磨的方式去除所述金属层和第二介电层。
4.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一介电层的材质为氧化硅或氮化硅中的一种或其组合。
5.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述干法刻蚀是反应离子刻蚀。
6.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，采用干法刻蚀的方式去除部分第一介电层后，剩余的第一介电层的厚度为50埃至300埃。
7.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述接触插塞的材质是钨、铜或铝。
8.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，采用湿法方式去除所述接触插塞。
9.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述扫描式电子显微镜检测的具体工艺条件包括：电压5KV；电流350pA。
10.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述扫描式电子显微镜检测的具体工艺条件包括：电压10KV；电流800pA。
11.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述晶片还包括形成于有源区内的金属硅化物层，所述接触插塞通过所述金属硅化物层与所述有源区电连接。
12.如权利要求11所述的检测方法，其特征在于，所述金属硅化物层的材质是硅化钴、硅化钛或硅化铂。
13.如权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述晶片还包括形成于所述有源区内的掺杂区，所述接触插塞通过所述掺杂区与所述有源区电连接。
14.如权利要求13所述的检测方法，其特征在于，所述掺杂区通过离子注入的方式形成。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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