[发明专利]真空电容器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201010181672.9 申请日: 2010-05-25
公开(公告)号: CN101847511A 公开(公告)日: 2010-09-29
发明(设计)人: 揭兴文 申请(专利权)人: 揭兴文
主分类号: H01G4/224 分类号: H01G4/224;H01G4/005
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 325600 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 真空 电容器 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种真空电容器,包括陶瓷绝缘管(1)、设置在所述绝缘管两侧管口处的上端盖(2)和下端盖(3)、设置在上端盖(2)内侧边壁上的多个上电极环(21)、设置在上端盖(2)外侧边壁上的上接线柱(22)、设置在下端盖(3)内侧边壁上的多个下电极环(31)、设置在下端盖(3)外侧边壁上的下接线柱(32);所述各上电极环(21)和各下电极环(31)同心设置;所述上端盖(2)密封住所述陶瓷绝缘管(1)上端的开口,所述上接线柱(22)设置在所述上端盖(2)的上表面上;

其特征在于:所述下端盖(3)密封住所述陶瓷绝缘管(1)下端的开口,所述下接线柱(32)设置在所述下端盖(3)的下表面上。

2.根据权利要求1所述的真空电容器,其特征在于:所述陶瓷绝缘管(1)与所述上端盖(2)以及下端盖(3)通过焊接方式固定连接;所述上接线柱(22)焊接固定在上端盖(2)的上表面上,所述下接线柱(32)焊接固定在下端盖(3)的外表面上。

3.权利要求1所述真空电容器的制造方法,包括以下步骤:

①将具有上电极环(21)的上端盖(2)、陶瓷绝缘管(1)、具有下电极环(31)的下端盖(3)进行拼装定位,并在所述陶瓷绝缘管(1)上端口与上端盖(2)的接触面、所述陶瓷绝缘管(1)下端口与下端盖(3)的接触面上设置一层焊料;从而得到半成品真空电容器;

②将拼装好的半成品真空电容器置入真空炉(4),抽至预定真空度后再进行加热处理,直至所述焊料融化,融化后的焊料将上端盖(2)、陶瓷绝缘环和下端盖(3)焊接固定连接,待其冷却后取出即可作为成品真空电容器。

4.根据权利要求3所述的真空电容器的制造方法,其特征在于:在进行上述步骤①之前,还具有以下步骤:

A、将上电极环(21)焊接固定在上端盖(2)的下表面上,将上接线柱(22)焊接固定在上端盖(2)的上表面上;将下电极环(31)焊接固定在下端盖(3)的上表面上;将下接线柱(32)焊接固定在下端盖(3)的下表面上。

5.权利要求1所述真空电容器的制造方法,包括以下步骤:

①把具有下电极环(31)的下端盖(3)焊接固定在陶瓷绝缘管(1)的下端口上;然后将具有上电极环(21)的上端盖(2)拼装在陶瓷绝缘管(1)的上端口上,并在所述陶瓷绝缘管(1)上端口与上端盖(2)的接触面上设置一层焊料;从而得到半成品真空电容器;

②将拼装好的半成品真空电容器置入真空炉(4),抽至预定真空度后再进行加热处理,直至所述焊料融化,融化后的焊料将上端盖(2)、陶瓷绝缘环和下端盖(3)焊接固定连接,待其冷却后取出即可作为成品真空电容器。

6.根据权利要求5所述的真空电容器的制造方法,其特征在于:在进行上述步骤①之前,还具有以下步骤:

A、将上电极环(21)焊接固定在上端盖(2)的下表面上,将上接线柱(22)焊接固定在上端盖(2)的上表面上;将下电极环(31)焊接固定在下端盖(3)的上表面上;将下接线柱(32)焊接固定在下端盖(3)的下表面上。

7.权利要求1所述真空电容器的制造方法,包括以下步骤:

①把具有上电极环(21)的上端盖(2)焊接固定在陶瓷绝缘管(1)的上端口上;然后将下端盖(3)置于下接线柱(32)上、把下电极环(31)置于下端盖(3)的上表面上、把陶瓷绝缘管(1)置于下端盖(3)的上表面上,并在下端盖(3)与下接线柱(32)的接触面上、下电极环(31)与下端盖(3)的接触面上、以及陶瓷绝缘管(1)的下端口与下端盖(3)的接触面上设置一层焊料,从而得到拼装好的半成品真空电容器;

②将拼装好的半成品真空电容器置入真空炉(4),抽至预定真空度后再进行加热处理,直至所述焊料融化,融化后的焊料将陶瓷绝缘环(1)和下端盖(3)、下电极环(31)与下端盖(3)、下端盖(3)与下接线柱(32)焊接固定连接,待其冷却后取出即可作为成品真空电容器。

8.根据权利要求7所述的真空电容器的制造方法,其特征在于:在进行上述步骤①之前,还具有以下步骤:

A、将上电极环(21)焊接固定在上端盖(2)的下表面上,将上接线柱(22)焊接固定在上端盖(2)的上表面上。

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