[发明专利]用于热释光和光释光的掺铜铝酸钇晶体及其制备方法

权利要求书

1.一种用于热释光和光释光的掺铜铝酸钇晶体，特征在于该掺铜铝酸钇晶体是采用熔体法生长的，其化学式为：

Y_(1-x):AlO₃:Cu_x

式中，x＝0.001～0.1，x为掺杂离子Cu²⁺与Y原子的摩尔比。

2.一种掺铜铝酸钇晶体的制备方法，特征在于该方法①②③包括下列步骤：

①原料配方：

掺铜铝酸钇晶体，即YAP:Cu晶体的初始原料采用Al₂O₃(5N)，Y₂O₃(5N)和CuO(3N)并按摩尔比1∶(1-x)∶2x进行配料，其中x的取值范围为0.001～0.1，选定x的值；

②采用熔体法生长YAP:Cu单晶：

先将各高纯氧化物粉末在空气中预干燥，除去吸附水，灼烧温度为1000℃，然后按选定的x值后的摩尔比称量Al₂O₃(5N)，Y₂O₃(5N)和CuO(3N)原料，原料充分混合均匀后在液压机上压制成块，然后装入氧化铝坩埚内，放进马弗炉中烧结，用10个小时升温至1200℃，保温10个小时后再用10个小时降温至室温，将块料取出放入坩埚内，采用熔体法生长上述单晶体：

3.根据权利要求2所述的掺铜铝酸钇晶体的制备方法，特征在于所述的熔体法为提拉法，所述的坩埚为铱坩埚，籽晶为<010>方向的纯YAP单晶棒，晶体生长在高纯Ar气氛中进行。提拉速度为1～2.5mm/h，旋转速度为10～20rpm。

4.根据权利要求2所述的掺铜铝酸钇晶体的制备方法，特征在于所述的熔体法为坩埚下降法，所述的坩埚材料采用高纯石墨，坩埚底部可以不放籽晶，或放入上述提拉法中所述的纯YAP籽晶，晶体生长在高纯N₂气氛中进行。坩埚下降速率为0.1～1mm/h。

5.根据权利要求2所述的掺铜铝酸钇晶体的制备方法，特征在于所述的熔体法为温度梯度法，坩埚材料采用高纯石墨，坩埚底部可以不放籽晶，或放入上述提拉法中所述的纯YAP籽晶，晶体生长在高纯N₂气氛中进行。使晶体以生长速率为1～1.8mm/h的降温速率进行降温并生长晶体。