[发明专利]一种用于半导体工艺中的掩模板

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造工艺，特别涉及用于半导体工艺中的掩模板。

背景技术

在集成电路的制作过程中，光刻工艺早已成为一种不可或缺的技术。光刻工艺主要是先将设计好的图案，例如电路图案、接触孔图案等形成于一个或多个掩模板上，然后再通过曝光程序将掩模板上的图案利用步进扫描光刻机转移至晶圆上的光刻胶层上。

在实际工业生产中，掩模板的污染一直是个问题。污染可能是由掩模板处理/储存、掩模板制作、掩模板的吹气处理、薄膜框架的残留或其它半导体制造过程中所产生的。其中有一种污染是雾状污染，如图1的101区域所示。雾状污染是一种沉淀在掩模板层表面的沉淀物，该沉淀物是由掩模板清洗曝光中晶圆厂或机台环境的化学残留物或杂质产生的。例如，当使用含有铵盐(NH₄)与硫酸盐(SO₄)的溶液清洗掩模板，在被暴露于短波长的紫外光(例如目前半导体行业已经开始采用的波长为193nm的ArF激光技术的光刻工艺)时，污染变得更加明显。由于掩模板污染的存在，使得掩模板上图案转移变得不精确，很有可能造成所制作的半导体器件的报废，降低半导体器件的良品率。因此，需要对掩模板上的污染进行检测，然后根据检测结果，当发现污染时，通过清洗来去除污染。

传统的检测掩模板污染的方法是采用专用的掩模板检测系统，例如KLA-Tencor公司的STARlight-2^TM掩模板检测系统等。但是采用这种专用的掩模板检测系统来进行掩模板污染的检测是十分昂贵的，并且时间较长，每片掩模板需要2～4小时，这不仅影响半导体器件的生产效率，同时增加了生产成本，这对于中小型企业来说是难以负担的。

因此，需要一种方法和装置，既能够及时有效地检测出掩模板上的污染，以便及时去除污染，提高半导体器件的良品率，又能降低检测污染的成本和缩短检测所耗费的时间。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明提供了一种用于半导体工艺中的掩模板，所述掩模板具有目标图案，其特征在于，所述掩模板具有至少一个掩模板切割道，所述掩模板切割道内具有至少一个污染检测图案区域且所述污染检测图案区域任意一边均不超出所述掩模板切割道的边界，所述污染检测图案区域用于检测所述掩模板上的污染，所述污染检测图案区域具有多根线条，单个所述线条的两端均与所述污染检测图案区域的边界相交。

优选地，所述污染检测图案区域的形状是凸多边形或圆形，所述线条是面积小于所述检测图案区域的面积1/2的矩形。

优选地，所述污染检测图案区域的形状是长方形，所述线条是面积小于所述检测图案区域的面积1/2的矩形。

优选地，所述污染检测图案区域任意一边与所述掩模板切割道边界的最短距离为1～10μm。

优选地，所述污染检测图案区域最短边界的长度Q大于或等于所述掩模板上的目标图案的最小设计间距的7倍。

优选地，1μm≤Q≤10μm。

优选地，所述污染检测图案区域在与所述最短边界垂直的方向上的最长长度P大于或等于Q。

优选地，所述污染检测图案区域在与所述最短边界垂直的方向上的最长长度P的范围是Q～5Q。

优选地，所述污染检测图案区域具有多根互相平行的间隔相同且大小相同的线条作为污染检测图案，所述污染检测图案区域设置为当所述线条为透光区域时，所述线条之间的间隔区域为不透光区域；或者当所述线条为不透光区域时，所述间隔区域为透光区域。

优选地，单根线条的宽度与单个间隔区域的宽度之和为所述掩模板上的目标图案所具有的最小设计间距的80％～100％。

优选地，单根线条的宽度与单个间隔区域的宽度之和为所述掩模板上的目标图案所具有的最小设计间距的90％～95％。

优选地，所述污染检测图案区域具有多根间隔相同、大小相同且相互平行的第一线条，和多根间隔相同、大小相同且相互平行的与所述第一线条相交的第二线条作为污染检测图案，所述污染检测图案区域设置为当所述第一线条和所述第二线条为透光区域时，所述第一线条之间以及所述第二线条之间的间隔区域均为不透光区域；或者当所述第一线条和所述第二线条为不透光区域时，所述间隔区域均为透光区域。