[发明专利]趋近零温度系数的电压与电流产生器

权利要求书

1.一种趋近零温度系数的电压与电流产生器，其特征在于，包括：

一功率放大器；

一第一P型金属氧化物半导体晶体管，耦接于该功率放大器的一输出端；

一第一PNP型双载流子晶体管，包括一射极，该射极耦接于该功率放大器的一负输入端及该第一P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极；

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，耦接于该功率放大器的该输出端；

一组第二PNP型双载流子晶体管，该组第二PNP型双载流子晶体管的每一第二PNP型双载流子晶体管包括一射极，该每一第二PNP型双载流子晶体管的射极耦接于该功率放大器的一正输入端及该第二P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极；

一负温度系数电阻，耦接于该功率放大器的该正输入端及该每一第二PNP型双载流子晶体管的该射极之间；

一第一零温度系数组合电阻，耦接于该功率放大器的该正输入端；

一第三P型金属氧化物半导体晶体管，耦接于该功率放大器的该输出端；以及

一第二零温度系数组合电阻，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极。

2.根据权利要求1所述的趋近零温度系数的电压与电流产生器，其特征在于，另包括一第三零温度系数组合电阻，该第三零温度系数组合电阻耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的该漏极；其中该第三零温度系数组合电阻耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的该漏极及一地端之间；其中该第三零温度系数组合电阻包括一正温度系数电阻及一负温度系数电阻。

3.根据权利要求1所述的趋近零温度系数的电压与电流产生器，其特征在于，该第一P型金属氧化物半导体晶体管的一源极、该第二P型金属氧化物半导体晶体管的一源极及该第三P型金属氧化物半导体晶体管的一源极耦接于一电源端，该第一PNP型双载流子晶体管的一集极及该每一第二PNP型双载流子晶体管的一集极耦接于一地端，该第一零温度系数组合电阻耦接于该第二P型金属氧化物半导体晶体管的该漏极及该地端之间，及该第二零温度系数组合电阻耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的该漏极及该地端之间。

4.根据权利要求1所述的趋近零温度系数的电压与电流产生器，其特征在于，该第一零温度系数组合电阻包括一正温度系数电阻及一负温度系数电阻；其中该第二零温度系数组合电阻包括一正温度系数电阻及一负温度系数电阻。

5.根据权利要求1所述的趋近零温度系数的电压与电流产生器，其特征在于，另包括一正温度系数电阻，该正温度系数电阻耦接于该功率放大器的该正输入端及该每一第二PNP型双载流子晶体管的该射极之间；其中该正温度系数电阻及该负温度系数电阻形成一零温度系数组合电阻。

6.一种趋近零温度系数的电压与电流产生器，其特征在于，包括：

一功率放大器；

一第一P型金属氧化物半导体晶体管，耦接于该功率放大器的一输出端；

一第一NPN型双载流子晶体管，包括一集极，该集极耦接于该功率放大器的一负输入端及该第一P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极；

一第二P型金属氧化物半导体晶体管，耦接于该功率放大器的该输出端；

一组第二NPN型双载流子晶体管，该组第二NPN型双载流子晶体管的每一第二NPN型双载流子晶体管包括一集极，该每一第二NPN型双载流子晶体管的集极耦接于该功率放大器的一正输入端及该第二P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极；

一负温度系数电阻，耦接于该功率放大器的该正输入端及该每一第二NPN型双载流子晶体管的该集极之间；

一第一零温度系数组合电阻，耦接于该功率放大器的该正输入端；

一第三P型金属氧化物半导体晶体管，耦接于该功率放大器的该输出端；以及

一第二零温度系数组合电阻，耦接于该第三P型金属氧化物半导体晶体管的一漏极。

7.根据权利要求6所述的趋近零温度系数的电压与电流产生器，其特征在于，另包括一第三零温度系数组合电阻，该第三零温度系数组合电阻耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的该漏极；其中该第三零温度系数组合电阻耦接于该第一P型金属氧化物半导体晶体管的该漏极及一地端之间；其中该第三零温度系数组合电阻包括一正温度系数电阻及一负温度系数电阻。