[发明专利]发光晶片封装体及其形成方法

权利要求书

1.一种发光晶片封装体，其特征在于，包括：

一承载基底，具有一第一表面及相反的一第二表面，以及自该第一表面朝该第二表面延伸的凹槽；

至少一导电沟道及至少一导热插塞，位于该凹槽外侧且穿过该承载基底的第一表面及第二表面；

一发光元件，具有至少一接点电极，设置在该凹槽内，其中该接点电极电性连接该导电沟道且与该导热插塞绝缘。

2.根据权利要求1所述的发光晶片封装体，其特征在于，该发光元件包括一发光二极管。

3.根据权利要求1所述的发光晶片封装体，其特征在于，该发光元件包括多个发光二极管，所述发光二极管彼此串联。

4.根据权利要求1所述的发光晶片封装体，其特征在于，还包括一反射结构，该反射结构围绕该发光元件。

5.根据权利要求4所述的发光晶片封装体，其特征在于，该发光元件设置在该凹槽的一底部上，且该反射结构位于该凹槽底部或侧壁上。

6.根据权利要求5所述的发光晶片封装体，其特征在于，该反射结构包括一第一反射层及一第二反射层，且该第一反射层及该第二反射层互相电性绝缘。

7.根据权利要求6所述的发光晶片封装体，其特征在于，该第一反射层及该第二反射层由金属材料构成。

8.根据权利要求7所述的发光晶片封装体，其特征在于，该第一反射层电性连接该接点电极及该导电沟道。

9.根据权利要求8所述的发光晶片封装体，其特征在于，该第二反射层连接该导热插塞且与该接点电极及该导电沟道电性绝缘。

10.一种发光晶片封装体的形成方法，其特征在于，包括：

提供一承载基底，具有一第一表面及相反的一第二表面；

部分移除该承载基底以形成至少一第一孔洞，所述第一孔洞自该承载基底的该第一表面朝该第二表面延伸；

部分移除该承载基底以形成至少一第二孔洞，所述第二孔洞自该承载基底的该第一表面朝该第二表面延伸；

自该承载基底的该第二表面薄化该承载基底以露出该第一孔洞及该第二孔洞，以形成至少一第一穿孔及至少一第二穿孔；

于该第一穿孔的侧壁上形成一第一导电层；

于该第二穿孔的侧壁上形成一第二导电层；及

将一发光元件设置在该第一表面上，其中

该发光元件具有一接点电极以电性连接该第一导电层。

11.根据权利要求10所述的发光晶片封装体的形成方法，其特征在于，该发光元件包括多个发光二极管，所述发光二极管彼此串联。

12.根据权利要求10或11所述的发光晶片封装体的形成方法，其特征在于，该第一导电层于该第一穿孔内作为导电沟道，且该第二导电层于该第二穿孔内作为导热插塞，其中，该导热插塞分别与该导电沟道及该接点电极电性绝缘。

13.根据权利要求12所述的发光晶片封装体的形成方法，其特征在于，还包括：

形成一凹槽，该凹槽自该第一表面朝该第二表面延伸；

将该发光元件设置于该凹槽的一底部上；以及

形成一反射结构于该凹槽的一侧壁或底部上。

14.根据权利要求13所述的发光晶片封装体的形成方法，其特征在于，该反射结构包括一第一反射层及一第二反射层，且该第一反射层及该第二反射层互相电性绝缘。

15.根据权利要求14所述的发光晶片封装体的形成方法，其特征在于，该第一穿孔及该第二穿孔围绕该凹槽。

16.根据权利要求13所述的发光晶片封装体的形成方法，其特征在于，该凹槽、所述第一孔洞及所述第二孔洞同时形成。

17.根据权利要求10所述的发光晶片封装体的形成方法，其特征在于，所述第一孔洞及所述第二孔洞同时形成。

18.根据权利要求14所述的发光晶片封装体的形成方法，其特征在于，该第一导电层及该第二导电层分别延伸至该凹槽侧壁或底部以作为该第一反射层及该第二反射层。