[发明专利]半导体封装结构与方法

权利要求书

1.一种半导体元件的封装方法，包括：

提供承载基底及多个晶片切片，其中该承载基底具有彼此相对的第一表面与第二表面，各该晶片切片具有有源表面与背面，其中该有源表面与该背面相对，且该有源表面上已形成有至少一连接垫；

于该承载基底的该第一表面上形成粘着层；

将各该晶片切片粘着至该粘着层，其中相邻的该多个晶片切片之间具有间隙，暴露出部分的该粘着层；

于各该间隙内填入封装层；

于各该晶片切片中形成至少一硅通孔，以暴露出该多个连接垫；

分别于各该晶片切片的该背面上形成重布线路层，以填入该多个硅通孔中而与对应的该连接垫电性连接；以及

进行切割工艺，以自各该封装层切割至该承载基底的该第二表面，而形成多个半导体封装结构。

2.如权利要求1所述的半导体元件的封装方法，其中在进行该切割工艺之前，还包括：

在该多个晶片切片的该多个背面形成保护层，以覆盖该多个重布线路层，且该保护层具有多个开口，暴露出各该重布线路层的一部分；以及

形成多个焊球填入该多个开口内，以使该多个焊球分别与对应的该重布线路层电性连接。

3.如权利要求1所述的半导体元件的封装方法，其中在形成该多个硅通孔后及形成该多个重布线路层之前，还包括：

于该多个晶片切片的背面上形成介电层，其中该介电层填入该多个硅通孔内；以及

移除位于该多个硅通孔内的部分该介电层，以暴露出该多个连接垫。

4.如权利要求1所述的半导体元件的封装方法，其中提供该多个晶片切片的方法包括：

提供晶片；

对该晶片进行电性测试，以得知该晶片的多个可用区；以及

将该晶片的该多个可用区切割下来，而获得该多个晶片切片。

5.如权利要求1所述的半导体元件的封装方法，其中在形成该硅通孔之前，还包括薄化该多个晶片切片。

6.如权利要求1所述的半导体元件的封装方法，其中填入该多个封装层的方法包括点胶。

7.如权利要求6所述的半导体元件的封装方法，其中在填入该多个封装层之后，还包括对该多个封装层进行研磨及抛光工艺，以移除各该封装层突出于各该晶片切片的该背面的部分。

8.一种半导体封装结构，包括：

承载基底，具有第一表面，且该第一表面具有配置区与封装区，其中该封装区围绕该配置区；

芯片，配置于该承载基底的该配置区上方；

粘着层，跨置于该配置区与该封装区上而位于该芯片与该承载基底之间；以及

封装层，配置于该粘着层上并对应该封装区而围绕该芯片。

9.如权利要求8所述的半导体封装结构，还包括重布线路层，且该芯片具有有源表面、背面以及至少一硅通孔，该有源表面上已形成有至少一连接垫，该硅通孔是自该背面贯通至该有源表面而暴露出该连接垫，其中该重布线路层配置于该芯片的该背面，并填入该硅通孔而与该连接垫电性连接。

10.如权利要求9所述的半导体封装结构，其中该芯片的该有源表面上更形成有半导体元件，且该粘着层围绕该半导体元件。

11.如权利要求9所述的半导体封装结构，还包括介电层，配置于该重布线路层与该芯片之间。

12.如权利要求9所述的半导体封装结构，还包括：

保护层，配置于该重布线路层上，且该保护层具有至少一开口，暴露出部分的该重布线路层；以及

至少一焊球，配置于该保护层上，并填入该开口内而与该重布线路层电性连接。

13.如权利要求9所述的半导体封装结构，其中该半导体元件包括彩色滤光片阵列。

14.如权利要求13所述的半导体封装结构，其中该半导体元件还包括微透镜阵列，配置于该彩色滤光片阵列与该芯片之间。

15.如权利要求8所述的半导体封装结构，其中该承载基底的材料包括透明材料。

16.如权利要求8所述的半导体封装结构，其中该封装层的材料包括热固化材料。