[发明专利]一种微波水热-溶剂热制备分等级空心球状CdS晶的方法无效
申请号: | 201010183046.3 | 申请日: | 2010-05-25 |
公开(公告)号: | CN101870496A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 黄剑锋;张钦峰;胡宝云;曹丽云;吴建鹏;熊信柏;曾燮榕 | 申请(专利权)人: | 陕西科技大学 |
主分类号: | C01G11/02 | 分类号: | C01G11/02 |
代理公司: | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人: | 陆万寿 |
地址: | 710021 *** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微波 溶剂 制备 分等级 空心 球状 cds 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种硫化镉空心球的制备方法,具体涉及一种微波水热-溶剂热制备分等级空心球状CdS晶的方法。
背景技术
硫化镉(CdS)晶体是一种较典型的II-VI族压电半导体材料,也是一种半导体光敏材料,具有较大的带隙宽度(约2.45ev),是一种良好的太阳能电池窗口材料和非线性光学材料。因其具有特殊的光学、电学性质,已被广泛应用于各种发光器件、光伏器件、光学探测器以及光敏传感器等领域。作为一种非常有前途的半导体材料,硫化镉引起了全世界范围的研究兴趣。迄今为止,在特定的反应条件下,已经成功的制备出了CdS纳米线、纳米棒、纳米带、纳米球、纳米花等具有特殊形貌的晶体。
目前,制备纳米硫化镉的方法主要有物理气相沉积法、化学气相沉积法、微乳液法、胶体化学法、水热法、溶剂热法等等。这些方法要么对设备要求高,比较昂贵;要么原料的利用率很小;要么工艺复杂,制备周期长,可重复性差。为了达到实用化大规模生产的目的,必须开发生产成本低、操作简单、制备周期短的纳米硫化镉制备工艺。
发明内容
本发明的目的是提出一种反应周期短、反应温度低,大大降低了能耗,节约了成本,并且操作简单,重复性好,适合大规模生产的微波水热-溶剂热制备分等级空心球状CdS晶的方法。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:1)首先,取0.1-1mmol分析纯的一水氯化镉(CdCl2·H2O)置于烧杯中,然后向该烧杯中滴加1.0-5.0mL油酸搅拌均匀后再加入20mL环己胺,经超声波分散后得到均匀的油相溶液记为A;2)将0.1-5mmol分析纯的硫代乙酰胺(TAA)溶解于70mL蒸馏水中,经超声波分散后得到均匀的水相溶液记为B;3)将A溶液加入到B溶液中,经超声分散后混合均匀后得溶液C;4)向C溶液中加入0.5-5.0mmol分析纯的EDTA(乙二胺四乙酸)搅拌均匀超声分散后形成均匀的前驱溶液D;5)将上述D溶液倒入水热反应釜中,填充度控制在60-80%;然后密封水热反应釜,将其放入MDS-8型温压双控微波水热反应仪中;选择温控模式或者压控模式进行反应,温控模式水热温度为80-180℃,压控模式水热压力为0.5MPa-4.0MPa,反应10min-60min,反应结束后自然冷却到室温;6)打开水热反应釜,产物通过离心收集,然后分别采用去离子水、无水乙醇或异丙醇洗涤后干燥得分等级空心球状CdS晶。
本发明步骤6)的干燥是在电热鼓风干燥箱中在45℃下干燥。
本发明采用简单的微波水热-溶剂热法制备工艺,以乙二胺四乙酸(EDTA)为模板剂,且反应在液相中一次完成,不需要后期处理,工艺设备简单,反应周期短,可重复性高,制备出高质量的分等级空心球状CdS晶。
附图说明
图1为实施例1所制备的分等级空心球状CdS晶的X-射线衍射(XRD)图谱,其中横坐标为衍射角2θ,单位为°;纵坐标为衍射峰强度,单位为a.u.;图2为实施例1所制备的分等级空心球状CdS晶的扫描电镜(SEM)照片。
图3为实施例1所制备的分等级空心球状CdS晶的场发射扫描电镜(FE-SEM)照片。
具体实施方式
下面结合附图及实施例对本发明作进一步详细说明。
实施例1:1)首先,取0.2mmol分析纯的一水氯化镉(CdCl2·H2O)置于烧杯中,然后向该烧杯中滴加2mL油酸搅拌均匀后再加入20mL环己胺,经超声波分散后得到均匀的油相溶液记为A;2)将0.2mmol分析纯的硫代乙酰胺(TAA)溶解于70mL蒸馏水中,经超声波分散后得到均匀的水相溶液记为B;3)将A溶液加入到B溶液中,经超声分散后混合均匀后得溶液C;4)向C溶液中加入0.5mmol分析纯的EDTA(乙二胺四乙酸)搅拌均匀超声分散后形成均匀的前驱溶液D;5)将上述D溶液倒入水热反应釜中,填充度控制在67%;然后密封水热反应釜,将其放入MDS-8型温压双控微波水热反应仪中;选择温控模式,温控模式水热温度为140℃,反应15min,反应结束后自然冷却到室温;6)打开水热反应釜,产物通过离心收集,然后分别采用去离子水、无水乙醇洗涤后,于电热鼓风干燥箱中在45℃下干燥得分等级空心球状CdS晶。
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