[发明专利]具有纳米结构插入层的GaN基LED

权利要求书

1.一种具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中包括：

一衬底；

一纳米结构模板，该纳米结构模板外延生长在衬底上，该纳米结构模板的表面为凹凸形状；

一插入层，该插入层外延生长在纳米结构模板的表面上；

一N型欧姆接触层，该欧姆接触层外延生长在插入层上，该欧姆接触层上面的一侧形成有一台面；

一有源层，该有源层外延生长在N型欧姆接触层的台面的另一侧上；

一P型层，P型层外延生长在有源层上；

一透明电极层，该透明电极层制作在P型层上；

一P压焊电极，该压焊电极通过光刻制作在透明电极上；

一N欧姆接触电极，该欧姆接触电极22制作在N型欧姆接触层的台面上。

2.根据权利要求1所述的具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中所述的衬底为硅、蓝宝石、氮化镓、砷化镓或碳化硅材料。

3.根据权利要求1所述的具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中凹凸表面的纳米结构模板是通过电子束曝光、全息光刻、利用两步氧化形成的多孔氧化铝结构、利用金属在退火条件下形成的自组织结构或利用硅石纳米颗粒形成的结构做掩膜通过干法刻蚀方法刻蚀而成，或直接利用聚焦离子束刻蚀而成。

4.根据权利要求1或3所述的具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中纳米结构模板的表面是柱状结构，形状为圆柱、六方棱柱、四方棱柱、菱形柱体、立方棱柱、三角棱柱或者条形柱体，纳米结构模板11的高度从5nm到1μm，尺寸也是从5nm到1μm。

5.根据权利要求1所述的具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中插入层为In_xG_1-xaN或者Al_yGa_1-yN材料，通过调节铝铟的组分调节In_xG_1-xaN或者Al_yGa_1-yN材料的折射率，其中，0＜x≤1，0＜y≤1，插入层通过外延方法均匀生长在纳米结构模板的侧壁和表面，所以其为一包覆在模板上的包覆层，插入层厚度为5nm到2μm。

6.根据权利要求1所述的具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中N型欧姆接触层为N型GaN材料，其厚度为200nm到3μm。

7.根据权利要求1所述的具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中有源层为多量子阱结构，周期数为5。

8.根据权利要求1所述的具有纳米结构插入层的GaN基LED，其中P型层为P型GaN材料，其厚度为100-500nm。