[发明专利]蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法

说明书

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及一种蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。更具体地，本发明的示例性实施方式涉及一种蚀刻钛/铜(Ti/Cu)双层的蚀刻剂和使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。

背景技术

液晶显示器(LCD)装置可由例如薄膜晶体管(TFT)电路的电路驱动。TFT-LCD装置的制造工艺可以包括沉积工艺和蚀刻工艺，沉积工艺包括使用用于源极/漏极电极的材料沉积金属层，蚀刻工艺包括使用腐蚀性气体或腐蚀性液体选择性地去除金属层以形成电路的金属线。

可以在TFT基板上沉积多个薄层或薄膜。因此，TFT基板的金属线可以优选地具有微锥形的形状，其蚀刻轮廓均匀地向下倾斜，并且，金属线的下部宽度比金属线的上部宽度宽。

铜可以具有较低的电阻，并且可以容易地和经济地使用。因此，由铜层形成的金属线的电阻可以比由铝层或铬层形成的金属线的电阻小得多。此外，铜可以比铝或铬更为环保。然而，与铝或铬相比，铜可以具有对氧化剂相对高的抗性。因此，可使用包括过氧化氢或三价铁(ferric iron)的蚀刻溶液来蚀刻铜层。

然而，过氧化氢可在铜离子和铁离子存在的情况下引起歧化，以分解成水和氧。上述的歧化又会导致发热和成分的快速变化，从而劣化制造工艺裕度(余量，margin)和稳定性。为了克服上述难题，过氧化氢可以与用于过氧化氢的稳定剂一起使用，这样会增加制造成本。

发明内容

本发明的示例性实施方式可以提供一种能够同时蚀刻钛/铜(Ti/Cu)双层的蚀刻剂，该蚀刻剂能够提高蚀刻工艺裕度和稳定性。

本发明的示例性实施方式还可以提供一种使用蚀刻剂制造阵列基板的方法。

根据本发明的一个示例性实施方式，提供了一种蚀刻剂。该蚀刻剂包括按重量计大约0.1％至按重量计大约30％的过硫酸铵(NH₄)₂S₂O₈、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的无机酸、按重量计大约0.1％至按重量计大约10％的乙酸盐、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含氟化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的磺酸化合物、按重量计大约0.01％至按重量计大约2％的唑化合物、以及余量的水。

在本发明的一个示例性实施方式中，无机酸可以包括硝酸、磷酸、硫酸、盐酸等。这些可以单独使用或以其组合使用。

在本发明的一个示例性实施方式中，乙酸盐可以包括乙酸铵(CH₃COONH₄)、乙酸锂(CH₃COOLi)、乙酸钾(CH₃COOK)等。这些可以单独使用或以其组合使用。

在本发明的一个示例性实施方式中，含氟化合物可以包括氟化钠(NaF)、氟氢化钠(NaHF₂)、氟化铵(NH₄F)、氟化氢铵(NH₄HF₂)、氟硼酸铵(NH₄BF₄)、氟化钾(KF)、氟氢化钾(KHF₂)、氟化铝(AlF₃)、氟硼酸(HBF₄)、氟化锂(LiF)、四氟硼酸钾(KBF₄)、氟化钙(CaF₂)等。这些可以单独使用或以其组合使用。

在本发明的一个示例性实施方式中，磺酸化合物可以包括甲磺酸(CH₃SO₃H)、苯磺酸(C₆H₅SO₃H)、对甲苯磺酸(C₇H₇SO₃H)等。这些可以单独使用或以其组合使用。

在本发明的一个示例性实施方式中，唑化合物可以包括苯并三唑、氨基四唑、氨基四唑钾盐、咪唑、吡唑等。这些可以单独使用或以其组合使用。

在本发明的一个示例性实施方式中，蚀刻剂可以进一步包括按重量计大约0.01％至按重量计大约5％的含硼化合物。