[发明专利]制作半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括以下步骤：

在半导体衬底中形成用于执行光电转换的光接收部分；

形成绝缘膜，以覆盖所述半导体衬底的光接收侧；

形成金属光屏蔽膜，以其一部分覆盖所述绝缘膜的对应于所述光接收部分的部分；以及

通过利用微波照射所述金属光屏蔽膜来对所述金属光屏蔽膜进行加热，以允许对所述绝缘膜中的具有所述金属光屏蔽膜层压的部分进行选择性地退火处理。

2.根据权利要求1所述的用于制作半导体器件的方法，其中，

所述金属光屏蔽膜由含有钨、铝、钛、铜和钽中的至少一种元素的金属膜或其层压膜构成。

3.根据权利要求1所述的用于制作半导体器件的方法，其中，

在处理温度为250℃到500℃的范围内执行所述退火处理。

4.根据权利要求1所述的用于制作半导体器件的方法，其中，

所述绝缘膜由具有作为微波吸收器的功能的材料制成。

5.根据权利要求1所述的用于制作半导体器件的方法，其中，

所述半导体衬底适合于构造这样一种固态图像传感器件，在该固态图像传感器件中，所述半导体衬底在其一个表面侧处形成有布线层并且其另一侧作为所述光接收部分的光接收侧。