[发明专利]发光器件和具有该发光器件的发光器件封装有效
| 申请号： | 201010184458.9 | 申请日： | 2010-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN101894894A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 林祐湜 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;吴鹏章 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 具有 封装 | ||
1.一种发光器件，其包括：
具有第一和第二表面的第一半导体层，所述第一和第二表面是相反的表面，所述第一半导体层具有从所述第二表面延伸出来的多个半导体柱，所述多个半导体柱彼此分开；
在所述第一半导体层上方形成的发光结构，所述发光结构包括第一导电半导体层、有源层和第二半导体层，所述发光结构具有侧表面，并且与所述发光结构的所述侧表面最接近的半导体柱的暴露的侧表面与所述发光结构的所述侧表面是非对准的；和
与所述多个半导体柱邻接的衬底。
2.权利要求1所述的发光器件，还包括在所述衬底和所述多个半导体柱之间的至少一个II至VI族化合物半导体层。
3.权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括未掺杂的III-V族化合物半导体或掺杂的半导体层中的至少其一。
4.权利要求1所述的发光器件，还包括保留在一部分的所述多个半导体柱上的掩模材料。
5.权利要求4所述的发光器件，其中所述一部分的所述多个半导体柱位于所述多个半导体柱的中间附近。
6.权利要求1所述的发光器件，其中所述多个柱中的每一个均具有圆柱形状或圆锥形状中的至少其一。
7.权利要求1所述的发光器件，其中所述柱以规则的间隔或不规则的间隔隔开。
8.权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层的所述第二表面是不平坦的表面。
9.权利要求8所述的发光器件，其中所述不平坦的表面包括锯齿状表面。
10.权利要求8所述的发光器件，其中所述不平坦的表面包括高度小于所述柱的高度的多个锯齿状结构。
11.权利要求8所述的发光器件，其中所述不平坦的表面包括不规则的凹凸结构。
12.权利要求8所述的发光器件，其中所述不平坦的表面形成在所述第一半导体层的所述第二表面的全部区域或外周部分上。
13.权利要求1所述的发光器件，其中所述第一半导体层包括N型半导体层。
14.权利要求1所述的发光器件，其中所述柱的周期性对应于光子晶体结构的周期性。
15.权利要求1所述的发光器件，其中在所述柱的位置之间设置气隙。
16.权利要求1所述的发光器件，还包括在所述衬底上的凹凸结构。
17.权利要求15所述的发光器件，其中所述气隙的间隙尺寸为约20μm或更小。
18.权利要求10所述的发光器件，其中所述柱的厚度为20μm或更小。
19.权利要求15所述的发光器件，其中所述气隙的高度不同于所述柱的厚度。
20.权利要求4所述的发光器件，其中所述掩模材料包括SiO2、SiOx、SiNx、SiOxNy或W中的至少一种。
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