[发明专利]三维纳米结构阵列的制备方法无效
| 申请号： | 201010184792.4 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102259832A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 纳米 结构 阵列 制备 方法 | ||
1.一种三维纳米结构阵列的制备方法，其包括以下步骤：
提供一基底；
在该基底一表面形成掩膜层；
采用反应性刻蚀气氛对基底进行刻蚀同时对所述掩膜层进行裁剪，形成阶梯状结构的三维纳米结构阵列；以及
去除掩膜层。
2.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述在该基底表面形成掩膜层的方法为在基底表面形成单层纳米微球，从而在纳米微球对应的位置制备得到阶梯状凸起结构。
3.如权利要求2所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述单层纳米微球包括多个呈阵列排布的纳米微球。
4.如权利要求3所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述单层纳米微球包括多个呈六角密堆排布、等间距行列式排布或同心圆环排布的纳米微球。
5.如权利要求2所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述在所述基底表面形成单层纳米微球的方法为提拉法或旋涂法。
6.如权利要求2所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述在所述基底表面形成单层纳米微球之前进一步包括一对基底进行亲水处理的步骤。
7.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述采用反应性刻蚀气氛对基底进行刻蚀的步骤在一微波等离子体系统中进行。
8.如权利要求7所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述微波等离子体系统的工作气体包括氯气和氩气。
9.如权利要求8所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述氯气的通入速率为10标况毫升每分～60标况毫升每分，所述氩气的通入速率为4标况毫升每分～20标况毫升每分。
10.如权利要求8所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述工作气体的气压为2帕～10帕。
11.如权利要求7所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述微波等离子体系统的功率为40瓦～70瓦。
12.如权利要求7所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述微波等离子体系统的功率与微波等离子体系统的工作气体的气压的数值比小于20∶1。
13.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述采用反应性刻蚀气氛对基底进行刻蚀的时间为1分钟～2.5分钟。
14.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列的制备方法，其特征在于，所述在该基底表面形成掩膜层的方法为在基底表面形成具有多个开孔的连续膜，从而在开孔对应的位置制备得到阶梯状凹陷结构。
15.一种三维纳米结构阵列的制备方法，其包括以下步骤：
提供一基底；
对该基底进行亲水处理；
在基底表面形成单层纳米微球作为掩膜层；
采用反应性刻蚀气氛对基底进行刻蚀同时对所述掩膜层进行裁剪，形成阶梯状结构的三维纳米结构阵列；以及
去除掩膜层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010184792.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
