[发明专利]三维纳米结构阵列无效
| 申请号： | 201010184855.6 | 申请日： | 2010-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN102259831A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 朱振东;李群庆;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 三维 纳米 结构 阵列 | ||
1.一种三维纳米结构阵列，其包括一基底以及多个三维纳米结构以阵列形式设置于该基底至少一表面，其特征在于，所述三维纳米结构为阶梯状结构。
2.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述三维纳米结构为设置在所述基底表面的阶梯状凸起结构或阶梯状凹陷结构。
3.如权利要求2所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述阶梯状凸起结构或阶梯状凹陷结构的尺度小于等于1000纳米。
4.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述三维纳米结构为一多层阶梯状圆台结构。
5.如权利要求4所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述三维纳米结构包括一第一圆台以及一设置于该第一圆台表面的第二圆台。
6.如权利要求5所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述第一圆台与第二圆台同轴设置且形成一体结构。
7.如权利要求5所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述第一圆台靠近基底设置，所述第一圆台的底面直径大于第二圆台的底面直径，所述第一圆台的侧面垂直于基底的表面，所述第二圆台的侧面垂直于第一圆台的底面。
8.如权利要求5所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述第一圆台的底面直径为50纳米～1000纳米，高度为100纳米～1000纳米；所述第二圆台的底面直径为10纳米～500纳米，高度为20纳米～500纳米。
9.如权利要求5所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述三维纳米结构进一步包括一设置于第二圆台表面的第三圆台。
10.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述多个三维纳米结构按照等间距行列式排布、同心圆环排布或六角形密堆排布的方式设置在基底表面。
11.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述设置在基底表面的多个三维纳米结构形成一个单一图案或多个图案。
12.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述三维纳米结构与基底形成一体结构。
13.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述相邻的两个三维纳米结构之间的距离为10纳米～1000纳米。
14.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述基底具有相对的两表面，且相对的两表面均设置有多个三维纳米结构。
15.如权利要求1所述的三维纳米结构阵列，其特征在于，所述基底为一硅基基底或半导体基底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司，未经清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010184855.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于维护智能资产的系统和方法
- 下一篇：阵列基板及其制造方法、液晶显示器
