[发明专利]一种大功率白光LED器件的无金线封装方法及白光LED器件有效
申请号: | 201010184897.X | 申请日: | 2010-05-26 |
公开(公告)号: | CN101859865A | 公开(公告)日: | 2010-10-13 |
发明(设计)人: | 李思兰;杨莹;胡泉 | 申请(专利权)人: | 上海嘉利莱实业有限公司 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/50;H01L33/42 |
代理公司: | 上海三和万国知识产权代理事务所 31230 | 代理人: | 蔡海淳 |
地址: | 200010 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 大功率 白光 led 器件 无金线 封装 方法 | ||
1.一种大功率白光LED器件的无金线封装方法,包括在芯片与外引支架电极之间设置电连接通道和在芯片的一侧设置荧光材料层,其特征是:
A、采用单晶荧光材料层构成所述的荧光材料层;
B、在单晶荧光材料层的表面上制备透明导电薄膜;
C、在透明导电薄膜上制备导电金属电极,所述导电金属电极形状与芯片的p和/或n电极形状相对应/相匹配;
D、载有透明导电薄膜和导电金属电极的单晶荧光材料晶片构成单晶荧光材料复合功能单元;
E、将单晶荧光材料功能单元通过共晶焊接的方法与芯片进行封装,在芯片的p和/或n电极与外引支架电极之间建立电连接通道。
2.按照权利要求1所述的大功率白光LED器件的无金线封装方法,其特征是所述的单晶荧光材料包括石榴石类单晶荧光材料。
3.按照权利要求1所述的大功率白光LED器件的无金线封装方法,其特征是所述的透明导电薄膜包括金属膜系列、透明导电氧化物膜系列、高分子膜系列、复合膜系列和化合物膜系列导电薄膜。
4.按照权利要求3所述的大功率白光LED器件的无金线封装方法,其特征是所述的透明导电薄膜是铟锡氧化物半导体透明导电膜或Ni/Au导电膜。
5.按照权利要求1所述的大功率白光LED器件的无金线封装方法,其特征是所述透明导电薄膜和导电金属电极的制备采用光刻蚀法、掩模法、激光干式刻蚀法、丝网印刷法或萌罩透过沉积法。
6.按照权利要求1所述的大功率白光LED器件的无金线封装方法,其特征是所述的单晶荧光材料功能单元设置在芯片的至少一个侧面。
7.按照权利要求1所述的大功率白光LED器件的无金线封装方法,其特征是所述的透明导电层及导电金属电极通过面接触的形式,在芯片的p和/或n电极与外引支架电极之间建立电连接通道。
8.一种按照权利要求1所述方法制造的大功率白光LED器件,包括pn结芯片和外引支架电极,其特征是:
在所述pn结芯片的至少一个侧面,设置一依次由单晶荧光材料层、透明导电薄膜和导电金属电极复合构成的单晶荧光材料功能单元;
所述的单晶荧光材料功能单元,通过透明导电层和导电金属电极,在pn结芯片和外引支架电极之间构成电连接通道。
9.按照权利要求8所述的大功率白光LED器件,其特征是所述的透明导电层通过导电金属电极,采用面接触的结构形式,在芯片的p和/或n电极与外引支架电极之间建立电连接通道。
10.按照权利要求8所述的大功率白光LED器件,其特征是所述的导电金属电极形状与芯片的p和/或n电极形状相对应/相匹配。
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