[发明专利]一种陶瓷基板的划片加工方法无效
| 申请号： | 201010185266.X | 申请日： | 2010-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN101856841A | 公开（公告）日： | 2010-10-13 |
| 发明（设计）人： | 苏培林;翟学涛;吕洪杰;高云峰 | 申请（专利权）人： | 深圳市大族激光科技股份有限公司;深圳市大族数控科技有限公司 |
| 主分类号： | B28D1/00 | 分类号： | B28D1/00 |
| 代理公司： | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518020 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷 划片 加工 方法 | ||
1.一种陶瓷基板划片加工的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)将所需加工图形进行编程处理，输入电脑控制系统；
(2)将陶瓷基板放置在加工平台上，调整放板的位置，并开启平台的吸附系统将陶瓷基板进行固定；
(3)调整加工工艺参数，采用激光按设计图形加工路径进行划片加工；
(4)通过显微镜观察划片线宽与划片深度，符合要求后即完成划片加工。
2.根据权利要求1所述的陶瓷基板划片加工方法，其特征在于：所述(3)步骤中的激光为紫外激光。
3.根据权利要求2所述的陶瓷基板划片加工方法，其特征在于：所述(3)步骤中的工艺参数包括：
功率范围：5-10W；加工速度范围：60-150mm/s；脉冲频率范围：20K-80KHz；脉冲时间为：1-5us；加工次数：2-8次。
4.根据权利要求2所述的陶瓷基板的划片加工方法，其特征在于：所述的紫外激光波长范围为：200nm-400nm。
5.根据权利要求1所述的陶瓷基板的划片加工方法，其特征在于：所述(4)步骤中的划片线宽小于50um。
6.根据权利要求5所述的陶瓷基板的划片加工方法，其特征在于：所述的划片深度为陶瓷基板厚度的1/3。
7.根据权利要求1所述的陶瓷基板的划片加工方法，其特征在于：所述的陶瓷基板的厚度小于1mm。
8.根据权利要求1所述的陶瓷基板的划片加工方法，其特征在于：所述的激光在陶瓷基板上按设计图形划片加工成一系列互相衔接的盲孔。
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