[发明专利]热辐射散热发光二极管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种热辐射散热发光二极管结构，其特征在于，包括：

一蓝宝石基板；

一发光二极管芯片，形成于该蓝宝石基板上，且包括至少依序堆栈的一N型半导体层、一半导体发光层、一P型半导体层，其中该半导体发光层可在顺向偏压而导通时发射光线；

一底座基板；

一热辐射散热薄膜，形成于该底座基板上；

一黏着导热层，位于该蓝宝石基板及该热辐射散热薄膜之间，用以连结该蓝宝石基板及该热辐射散热薄膜；

至少一电气连接线，用以分别电气连接至该LED磊晶层的N型半导体层及P型半导体层至外部电源的正电端及负电端；以及

一封装胶体，用以包覆该LED磊晶层；

其中，该热辐射散热薄膜包含金属与非金属的组合物，且该组合物包含银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一，以及包含硼、碳的至少其中之一的氧化物或氮化物或无机酸机化物，且该热辐射散热薄膜具有结晶体的显微结构。

2.如权利要求1所述的热辐射散热发光二极管结构，其特征在于，该热辐射散热薄膜的结晶体的大小为数微米至数纳米之间，该热辐射散热薄膜与该底座基板的热膨胀系数的差额比不大于0.1％。

3.如权利要求1所述的热辐射散热发光二极管结构，其特征在于，还包括一散热装置，连结至该底座基板，以增强散热能力。

4.一种热辐射散热发光二极管结构的制作方法，其特征在于，步骤包括：

在一蓝宝石基板上形成一LED磊晶层，该LED磊晶层包括至少依序堆栈的一N型半导体层、一半导体发光层、一P型半导体层，其中该半导体发光层可在顺向偏压而导通时发射光线；

在一底座基板上形成一热辐射散热薄膜；以及

利用黏着导热层结合该蓝宝石基板及该热辐射散热薄膜，以形成一热辐射散热发光二极管结构；

其中，该热辐射散热薄膜包含金属与非金属的组合物，且该组合物包含银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一，以及包含硼、碳的至少其中之一的氧化物或氮化物或无机酸机化物，且该热辐射散热薄膜具有结晶体的显微结构。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，该热辐射散热薄膜的结晶体的大小为数微米至数纳米之间，该热辐射散热薄膜与该底座基板的热膨胀系数的差额比不大于0.1％。

6.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，将一散热装置连结至该底座基板，以增强散热能力。

7.一种热辐射散热发光二极管结构，其特征在于，包括：

一蓝宝石基板，具一上部表面及一下部表面；

一发光二极管芯片，形成于该蓝宝石基板的上部表面上，且包括至少依序堆栈的一N型半导体层、一半导体发光层、一P型半导体层，其中该半导体发光层可在顺向偏压而导通时发射光线；

一第一热辐射散热薄膜，形成于该蓝宝石基板的下部表面上；

一底座基板；

一第二热辐射散热薄膜，形成于该底座基板上；

一纳米釉层，形成于该第二热辐射散热薄膜上；

一黏着导热层，位于该第一热辐射散热薄膜及该纳米釉层之间，用以连结该第一热辐射散热薄膜及该纳米釉层；

至少一电气连接线，用以分别电气连接至该LED磊晶层的N型半导体层及P型半导体层至外部电源的正电端及负电端；以及

一封装胶体，用以包覆该LED磊晶层；

其中，该第一及第二热辐射散热薄膜包含金属与非金属的组合物，且该组合物包含银、铜、锡、铝、钛、铁及锑的至少其中之一，以及包含硼、碳的至少其中之一的氧化物或氮化物或无机酸机化物，且该第一及第二热辐射散热薄膜具有结晶体的显微结构。

8.如权利要求7所述的热辐射散热发光二极管结构，其特征在于，该第一及第二热辐射散热薄膜的结晶体的大小为数微米至数纳米之间。

9.如权利要求7所述的热辐射散热发光二极管结构，其特征在于，该第一热辐射散热薄膜与该蓝宝石基板的热膨胀系数的差额比不大于0.1％，且该第二热辐射散热薄膜与该底座基板的热膨胀系数的差额比不大于0.1％。