[发明专利]一种非晶C型磁芯的拼接方法无效
| 申请号： | 201010186362.6 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101866743A | 公开（公告）日： | 2010-10-20 |
| 发明（设计）人： | 张志臻 | 申请（专利权）人： | 佛山市中研非晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;B22F3/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人： | 詹仲国 |
| 地址： | 528241 广东省佛山市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 型磁芯 拼接 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种非晶C型磁芯的拼接方法，该拼接方法包括卷制、成型退火、浸漆固化定型工艺步骤，其特征在于，该拼接方法具体包括如下步骤：
（1）、卷制窄带磁芯：按照所需宽度的非晶C型磁芯，选取两个或以上宽度相加等于所需宽度的非晶C型磁芯；
（2）成型退火，且每个磁芯单个退火；
（3）将两个或以上窄带磁芯浸漆固化定型；
（4）两个或以上窄带磁芯粘结叠合，粘合时两个或以上磁芯对整齐；
（5）整体切割；
（6）烘干整理、成品检测、包装。
2.根据权利要求1所述的非晶C型磁芯的拼接方法，其特征在于：所述步骤（1）中的两个或以上宽度的非晶C型磁芯的宽度尺寸接近。
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