[发明专利]凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种凹陷沟道型PNPN场效应晶体管的制造方法，其特征在于具体步骤包括：

提供一个具有第一种掺杂类型的半导体衬底；

进行离子注入，在提供的半导体衬底内形成第一种掺杂类型的区域；

淀积形成第一种绝缘薄膜；

刻蚀部分所述第一种绝缘薄膜和第一种掺杂类型的区域，露出进行后续掺杂的半导体衬底区域；

通过扩散工艺形成第二种掺杂类型的区域；

淀积形成第二种绝缘掩膜；

刻蚀形成器件的凹陷沟道区域；

形成第三种绝缘薄膜；

淀积形成第一种导电薄膜；

刻蚀形成器件的栅极结构；

剥除剩余的第一种、第二种绝缘薄膜；

淀积形成第四种绝缘薄膜，并对所述第四种绝缘薄膜进行刻蚀形成通孔结构；

淀积第二种导电薄膜形成电极。

2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的半导体衬底为单晶硅、多晶硅或者绝缘体上的硅。

3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一种掺杂类型为n型；第二种掺杂类型p型。

4.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第一种掺杂类型为p型；第二种掺杂类型n型。

5.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一种、第二种、第三种、第五种绝缘薄膜为二氧化硅、氮化硅或者为它们之间相混合的绝缘材料。

6.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第四种绝缘薄膜为SiO₂、HfO₂、HfSiO、HfSiON、SiON或Al₂O₃，或者为它们之中几种的混合物。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述第一种导电薄膜为TiN、TaN、RuO₂、Ru或WSi合金，或者为掺杂的多晶硅材料。

8.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述的第二种导电薄膜为金属铝、金属钨。

9.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凹陷沟道区域形成前，所述第二种掺杂类型的区域在水平方向上延伸至所述第一种掺杂类型的区域下方。

10.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述凹陷沟道区域将所述第二种掺杂类型的区域分隔为两个部分，并且，被分割的两个部分中的一部分位于所述第一种掺杂类型的区域下方。