[发明专利]基于低噪声放大器的过失真方法和低噪声放大器有效
| 申请号： | 201010186662.4 | 申请日： | 2010-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN101834566A | 公开（公告）日： | 2010-09-15 |
| 发明（设计）人： | 黄沫 | 申请（专利权）人： | 广州市广晟微电子有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/32 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 510630 广东省广州市天*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 低噪声放大器 失真 方法 | ||
1.一种基于低噪声放大器的过失真方法，其特征在于，包括：
将第一过失真场效应管的栅极通过第一隔直电容与所述低噪声放大器的第一输入管的漏极连接；
将第二过失真场效应管的栅极通过第二隔直电容与所述低噪声放大器的第二输入管的漏极连接。
2.根据权利要求1所述的过失真方法，其特征在于，还包括：
将所述第一过失真场效应管的漏极与所述低噪声放大器的第一共源共栅场效应管的漏极连接；
将所述第二过失真场效应管的漏极与所述低噪声放大器的第二共源共栅场效应管的漏极连接。
3.根据权利要求1所述的过失真方法，其特征在于，所述第一过失真场效应管的源极与所述第二过失真场效应管的源极接地。
4.根据权利要求1所述的过失真方法，其特征在于，所述低噪声放大器具体为共源共栅差分低噪声放大器，所述第一输入管与所述第二输入管具体为输入MOS管。
5.根据权利要求4所述的过失真方法，其特征在于，所述过失真场效应管具体为过失真MOS管。
6.根据权利要求2所述的过失真方法，其特征在于，所述过失真MOS管工作于弱反型区，所述第一输入管与所述第二输入管工作于饱和区。
7.根据权利要求5所述的过失真方法，其特征在于，所述共源共栅场效应管具体为共源共栅MOS管。
8.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：
第一过失真场效应管、第二过失真场效应管、第一隔直电容和第二隔直电容，其中：
所述第一过失真场效应管的栅极通过第一隔直电容与所述低噪声放大器的第一输入管的漏极连接；
所述第二过失真场效应管的栅极通过第二隔直电容与所述低噪声放大器的第二输入管的漏极连接。
9.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其特征在于，
所述第一过失真场效应管的漏极与所述低噪声放大器的第一共源共栅场效应管的漏极连接；
所述第二过失真场效应管的漏极与所述低噪声放大器的第二共源共栅场效应管的漏极连接；
所述第一过失真场效应管的源极与所述第二过失真场效应管的源极接地。
10.根据权利要求9所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一共源共栅场效应管的漏极与所述第二共源共栅场效应管的漏极交叉耦合连接。
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