[发明专利]半导体器件清洗装置及清洗方法

权利要求书

1.一种半导体器件清洗装置，包括第一水槽和第二水槽，所述第一水槽上设有排气管和进水口，所述排气管上设有第一阀门，所述第一水槽和所述第二水槽之间设有第一连接管，所述第一连接管上设有第二阀门，所述第二水槽上设有进气管，所述第二水槽上还设有与工艺腔连接的第二连接管，所述第二连接管上设有第三阀门；其特征在于，所述第一水槽还连接送气单元，用于向所述第一水槽输送气体。

2.根据权利要求1所述的半导体器件清洗装置，其特征在于，所述送气单元位于所述第一水槽外，包括：主送气管、分气盘以及分送气管，所述主送气管与所述分送气管通过所述分气盘连接，所述分送气管连接所述第一水槽。

3.根据权利要求2中任一项所述的半导体器件清洗装置，其特征在于，所述主送气管的内径大于所述分送气管的内径。

4.根据权利要求3所述的半导体器件清洗装置，其特征在于，所述主送气管的内径为1至2英寸，所述分送气管的内径为1/16至1/4英寸。

5.根据权利要求1所述的半导体器件清洗装置，其特征在于，所述送气单元包括主送气管和分气管，所述分气管位于所述第一水槽内，所述主气管穿过所述第一水槽壁与所述分气管的一端连接，所述分气管的另一端封闭。

6.根据权利要求5所述的半导体器件清洗装置，其特征在于，所述分气管呈螺旋状，所述分气管上均匀分布多个气孔。

7.根据权利要求6所述的半导体器件清洗装置，其特征在于，所述第一水槽的容积为10-100升。

8.一种利用权利要求1所述的半导体器件清洗装置清洗半导体器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：

打开第一阀门；

向所述第一水槽内注入纯水；

停止注入纯水，打开所述送气单元，向所述第一水槽输送气体；

关闭所述第一阀门和所述送气单元，打开所述第二阀门，纯水由第一水槽流入第二水槽；

关闭所述第二阀门；

当对所述工艺腔进行工艺操作时，打开第三阀门，向所述工艺腔提供纯水；

纯水配合超声波发生装置，清洗所述半导体器件。

9.根据权利要求8所述的清洗半导体器件的方法，其特征在于，所述送气单元向所述第一水槽输送的气体为氮气或氧气。

10.根据权利要求8所述的清洗半导体器件的方法，其特征在于，所述第一阀门使所述第一水槽内的气压大于1个大气压。

11.根据权利要求8所述的清洗半导体器件的方法，其特征在于，所述工艺腔为浸没式清洗槽或单片式冲洗工艺腔。

12.根据权利要求8所述的清洗半导体器件的方法，其特征在于，所述超声波发生装置的频率为200kHZ-3MHZ。