[发明专利]一种双端SRAM单元有效
| 申请号： | 201010187381.0 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101840728A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/413 | 分类号： | G11C11/413 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sram 单元 | ||
1.一种双端SRAM单元，其特征在于，包括：
CMOS反相器，所述CMOS反相器连接在正电源电压和电源地之间；
第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极接正电源电压，其栅极与所述CMOS反相器的输出端相连，其漏极与所述CMOS反相器的输入端相连；
第一电阻，所述第一电阻的一端与所述第一PMOS晶体管的漏极相连，其另一端接电源地；
第一传输晶体管，所述第一传输晶体管的源极/漏极与所述第一PMOS晶体管的漏极相连，其漏极/源极与第一位线相连，其栅极与第一字线相连；以及
第二传输晶体管，所述第二传输晶体管的源极/漏极与所述CMOS反相器的输出端相连，其漏极/源极与第二位线相连，其栅极与第二字线相连。
2.如权利要求1所述的双端SRAM单元，其特征在于，所述第一传输晶体管为NMOS晶体管。
3.如权利要求1所述的双端SRAM单元，其特征在于，所述第二传输晶体管为NMOS晶体管。
4.如权利要求1所述的双端SRAM单元，其特征在于，所述第一位线为写入位线，所述第一字线为写入字线。
5.如权利要求1所述的双端SRAM单元，其特征在于，所述第二位线为读取位线，所述第二字线为读取字线。
6.如权利要求1所述的双端SRAM单元，其特征在于，所述第一传输晶体管导通后的阻值为第二电阻，所述第一传输晶体管关闭后的阻值为第三电阻，所述第一电阻比所述第二电阻大2至3个数量级，且比所述第三电阻小2至3个数量级。
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