[发明专利]一种功率放大器有效
| 申请号： | 201010187382.5 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101841306A | 公开（公告）日： | 2010-09-22 |
| 发明（设计）人： | 王勇;胡少坚;任铮;王彬;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/21 | 分类号： | H03F3/21 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率放大器 | ||
1.一种功率放大器，应用于无线局域网，其特征在于，包括：
共射极放大级模块；
射极跟随模块，所述射极跟随模块至少包括一个晶体管，所述晶体管的基极和所述共射极放大级模块的输出端相连；
功率放大级模块，和所述射极跟随模块相连。
2.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于：所述共射极放大级模块至少包括：第一锗化硅异质结双极晶体管、第二锗化硅异质结双极晶体管和第一偏置端。
3.根据权利要求2所述的功率放大器，其特征在于：所述第一偏置端连接所述第一锗化硅异质结双极晶体管的集电极，所述第一锗化硅异质结双极晶体管的基极和所述第二锗化硅异质结双极晶体管的基极相连，所述第一锗化硅异质结双极晶体管的发射极和所述第二锗化硅异质结双极晶体管的发射极均接地。
4.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于：所述共射极放大级模块还包括第三锗化硅异质结双极晶体管，所述第三锗化硅异质结双极晶体管的发射极连接一电感后，和所述第二锗化硅异质结双极晶体管的集电极相连。
5.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于：所述射极跟随模块包括：第四锗化硅异质结双极晶体管、第五锗化硅异质结双极晶体管、第六锗化硅异质结双极晶体管、第七锗化硅异质结双极晶体管、第八锗化硅异质结双极晶体管、第二偏置端、第三偏置端和第四偏置端。
6.根据权利要求5所述的功率放大器，其特征在于：所述第四锗化硅异质结双极晶体管的基极和所述第五锗化硅异质结双极晶体管的基极相连，所述第六锗化硅异质结双极晶体管的基极和所述第八锗化硅异质结双极晶体管的基极相连，所述第七锗化硅异质结双极晶体管的发射极连接一电感后，和所述第五锗化硅异质结双极晶体管的集电极相连，所述第二偏置端和所述第四锗化硅异质结双极晶体管的集电极相连，所述第三偏置端和所述第七锗化硅异质结双极晶体管的基极、所述第六锗化硅异质结双极晶体管的集电极分别相连，所述第四偏执端和所述第八锗化硅异质结双极晶体管的基极、集电极均相连，所述第四、第五、第六、第八锗化硅异质结双极晶体管的发射极均接地。
7.根据权利要求1所述的功率放大器，其特征在于：所述功率放大级模块至少包括：第九锗化硅异质结双极晶体管，所述第九锗化硅异质结双极晶体管的发射极连接一电感后接地，集电极连接于一对相互并联的电容、电感的一端，基极和所述第七锗化硅异质结双极晶体管的基极相连。
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