[发明专利]复合半导体器件的侧壁形成方法有效
| 申请号： | 201010187417.5 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN102263062A | 公开（公告）日： | 2011-11-30 |
| 发明（设计）人： | 匡金;祝孔维;张明敏;赵志勇 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 复合 半导体器件 侧壁 形成 方法 | ||
1.一种复合半导体器件的侧壁形成方法，其特征在于，包括：
提供未形成侧壁的复合半导体器件，所述复合半导体器件至少包括第一元件区以及第二元件区，且各元件区中晶体管的栅介质层厚度各不相同；
在所述复合半导体器件各元件区的表面覆盖沉积绝缘介质层；
在垂直方向上对所述绝缘介质层进行第一等离子刻蚀，使得第一元件区中形成第一侧壁；
在第一元件区的表面形成掩膜层；
在垂直方向上对位于第二元件区表面的所述绝缘介质层进行第二等离子刻蚀，使得第二元件区中形成第二侧壁。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一元件区中晶体管的栅介质层厚度小于第二元件区中晶体管的栅介质层。
3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述绝缘介质层材质为氧化硅或氮化硅。
4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述绝缘介质层采用化学气相沉积形成。
5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述对绝缘介质层进行第一等离子刻蚀，直至露出第一元件区中晶体管的源漏区表面为止。
6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述掩膜层材质为光刻胶。
7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述对位于第二元件区表面的绝缘介质层进行第二等离子刻蚀，直至露出第二元件区中晶体管的源漏区表面为止。
8.如权利要求1所述的形成方法，还包括去除第一元件区表面的掩膜层的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201010187417.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：非易失性存储装置
- 下一篇：一种浸泡在防锈液中实施退磁的装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
