[发明专利]干法刻蚀TaN电极的方法无效
| 申请号： | 201010187540.7 | 申请日： | 2010-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101894750A | 公开（公告）日： | 2010-11-24 |
| 发明（设计）人： | 李全波;姜利军 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司;浙江大立科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201210*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 刻蚀 tan 电极 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种干法刻蚀TaN电极的方法，其特征在于，该方法采用含F气体对所述TaN电极进行干法刻蚀，所述含F气体包括CF4，CHF3和Ar三种气体。
2.根据权利要求1所述的干法刻蚀TaN电极的方法，其特征在于，该方法采用电容耦合等离子刻蚀设备，其中，该电容耦合等离子刻蚀设备采用等离子体。
3.根据权利要求2所述的干法刻蚀TaN电极的方法，其特征在于，所述电容耦合等离子刻蚀设备的刻蚀腔体壁及下电极温度为10℃-25℃。
4.根据权利要求2所述的干法刻蚀TaN电极的方法，其特征在于，所述等离子体产生方式为电容耦合，所述等离子体的源极功率与偏置功率为同一个功率源。
5.根据权利要求2所述的干法刻蚀TaN电极的方法，其特征在于，所述电容耦合等离子刻蚀设备的刻蚀腔体内压力为10-30mt。
6.根据权利要求2所述的干法刻蚀TaN电极的方法，其特征在于，所述等离子体的功率为200w-400w。
7.根据权利要求1所述的干法刻蚀TaN电极的方法，其特征在于，所述CF4的流量为50-100sccm，所述CHF3的流量为10-40sccm，所述Ar的流量为200-400sccm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
