[发明专利]一种纳米硅量子点的制备方法及在薄膜太阳电池中的应用

权利要求书

1.一种纳米硅量子点的制备方法，其特征在于：利用PECVD方法生长非晶硅，采用飞秒激光双光束逐层扫描非晶硅，利用圆偏振飞秒激光双光束的干涉，晶化非晶硅薄膜，在非晶网络中形成纳米晶硅；采用的飞秒激光工艺参数是：波长400～800nm，脉冲宽度5～150fs，脉冲能量0.1～20μJ，重复频率2～100HZ。

2.权利要求1所述的一种纳米硅量子点的制备方法，其特征在于：所述逐层扫描是指：将非晶硅样品放在计算机控制的三维精密平移台上，先将两束偏振态为圆偏振的飞秒激光聚焦在非晶硅样品中某一点，该点位于非晶硅薄膜和玻璃衬底界面上方20～50nm处，然后利用平移台的移动，激光在这一点的深度位置上对样品进行平面扫描晶化；行移动间隔在50～100纳米；该层扫描结束后，样品台上移，平面移动的间隔在50～100纳米；平移台水平移动速率是0.1～10μm/s。

3.权利要求1所述的一种纳米硅量子点的制备方法，其特征在于：形成晶粒的大小分布在30～50nm范围，晶粒间距控制在20～40nm。

4.采用权利要求1所述的纳米硅量子点的制备方法制备的纳米硅量子点在薄膜太阳电池制备中的应用。

5.权利要求4所述的纳米硅量子点在薄膜太阳电池制备中的应用指：将所述纳米硅量子点薄膜作为薄膜太阳电池的I层或I层和N层。