[发明专利]一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法无效
申请号: | 201010188759.9 | 申请日: | 2010-06-01 |
公开(公告)号: | CN101871113A | 公开(公告)日: | 2010-10-27 |
发明(设计)人: | 刘润;徐铸德;陈科立;王辉 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | C25D9/04 | 分类号: | C25D9/04;C25D7/12 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 张法高 |
地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 沉积 碘化银 半导体 薄膜 电化学 制备 方法 | ||
1.一种电沉积碘化银半导体薄膜的电化学制备方法,其特征在于包括如下步骤:
1)用丙酮冲洗ITO导电玻璃或硅片2~3次,再用去离子水将ITO导电玻璃或硅片放在超声波清洗器里清洗,接着将ITO导电玻璃或硅片放在10%的硝酸溶液中活化,最后用去离子水反复冲洗;
2)将0.002~2mol/L的AgNO3、0.002~2mol/L的KI、0.002~2mol/L的乙二胺四乙酸二钠盐进行混合,用2mol/L的HNO3或0.1mol/L的NaOH溶液调节pH值至7~13,得到电解液;
3)ITO导电玻璃或硅片作为工作电极,铂片电极作为对电极,饱和甘汞电极作为参比电极一起放入电解液中进行电沉积,得到电沉积碘化银半导体薄膜,相对于饱和甘汞电极的电沉积电压为1.1~2.5V,电沉积时间为1分钟~30分钟,电沉积温度25~80℃。
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